专利名称：单晶炉低功耗勾形电磁场装置专利类型：实用新型专利
发明人：安涛,高勇,李扬,李守智,马剑平申请号：CN201020168138.X申请日：20100423公开号：CN201713601U公开日：20110119
摘要：本实用新型公开了一种单晶炉勾形电磁场装置，包括炉腔体和设置在炉腔体内的坩埚，炉腔体外圆周的上端和下端分别缠绕有线圈a和线圈b，线圈a和线圈b外侧设置有屏蔽体，线圈a和线圈b由空心紫铜方管和铜线交替密绕而成，各路线圈是串联在一起的；线圈a或线圈b的匝数至少为1800匝。本实用新型的有益效果是，在满足磁场强度的前提下，通过增加线圈的总匝数N，降低线圈电流I，降低磁场的功耗，可使其功耗减低为几个千瓦，解决了原勾形磁场大功耗问题，为直拉法拉制高品质单晶提供一种实用的低功耗电磁场装置。
申请人：西安理工大学
地址：710048 陕西省西安市金花南路5号
国籍：CN
代理机构：西安弘理专利事务所
代理人：罗笛
更多信息请下载全文后查看
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容