专利名称：晶体振荡装置以及半导体装置专利类型：发明专利
发明人：小泽治,堀口真志,奥田裕一,安在亮人申请号：CN201110419785.2申请日：20111215公开号：CN102545782A公开日：20120704
摘要：本发明提供一种晶体振荡装置以及半导体装置，能够充分地适用低负载电容值对应的晶体振子。例如，在布线基板PCB上，配置振荡输入信号XIN用的布线图案LN_XIN和振荡输出信号XOUT用的布线图案LN_XOUT，在其之间的区域中配置接地电源电压VSS用的布线图案LN_VSS1b。在LN_XIN与LN_XOUT之间连接晶体振子XTAL，将成为其负载电容的电容Cg、Cd的一端与
LN_VSS1b连接。进而，以包围这些布线图案的方式，配置VSS用的布线图案LN_VSS1a，而且，在下层中也配置VSS用的布线图案LN_VSSn。由此，能够实现XIN节点与XOUT节点之间的寄生电容降低、该节点的噪声耐性提高等。
申请人：瑞萨电子株式会社
地址：日本神奈川
国籍：JP
代理机构：中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人：李今子
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