专利名称：一种MEMS器件及其制作方法和电子装置专利类型：发明专利发明人：郑超,马军德,丁敬秀申请号：CN201510121611.6申请日：20150319公开号：CN106032267A公开日：20161019
摘要：本发明提供一种MEMS器件及其制作方法和电子装置，涉及半导体技术领域。所述方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底的正面形成牺牲层；图案化牺牲层，以形成开口暴露部分半导体衬底的表面，其中，开口的图案与预定形成的下电极的图案一致；在牺牲层的表面以及所述开口内暴露的半导体衬底的表面上沉积形成多晶硅层；图案化多晶硅层，以形成位于牺牲层上方的上电极和位于开口底部半导体衬底表面上的下电极；刻蚀所述下电极区域对应的部分所述半导体衬底的背面，直到暴露所述下电极；去除暴露的部分所述牺牲层，以释放所述上电极。本发明的制作方法，可减少MEMS器件制作工艺中的单个晶圆的工艺制程，降低了工艺成本，简化了工艺步骤。
申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
地址：201203 上海市浦东新区张江路18号
国籍：CN
代理机构：北京市磐华律师事务所
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