专利名称：高占空比碲镉汞长波红外光电导面阵探测器专利类型：发明专利
发明人：包西昌,朱龙源,李向阳,兰添翼,赵水平,王妮丽,刘诗
嘉
申请号：CN200910225371.9申请日：20091118公开号：CN101728450A公开日：20100609
摘要：本发明公开了一种高占空比碲镉汞长波红外光电导面阵探测器，器件结构包括：衬底，此衬底是采用激光打孔机打的直径约为60微米面阵的微孔中电镀金的蓝宝石。碲镉汞材料，该晶片包含双面精抛处理且长阳极氧化膜，的碲镉汞晶片，其中与环氧树脂胶接触的一面增加了一层ZnS抗反膜。环氧树脂胶，此胶的目的是把有ZnS的碲镉汞材料面粘结在衬底上。电极，此电极制作在刻穿碲镉汞晶片后溶解掉环氧树脂胶，形成的与电镀金相对应的面阵及周围部分碲镉汞上，通过井伸工艺连接碲镉汞与电镀金。蓝宝石电路，此电路与芯片背面的电镀金通过蒸镀的铟柱互联，使信号读出。
申请人：中国科学院上海技术物理研究所
地址：200083 上海市玉田路500号
国籍：CN
代理机构：上海新天专利代理有限公司
代理人：郭英
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