环孔工艺的碲镉汞长波红外576×6焦平面探测器组件

第２７卷第６期　２００８年１２月　红外与毫米波学报　Ｊ．Ｉｎｆｒａｒｅｄ　Ｍｉｌｌｉｍ．Ｗａｖｅｓ　Ｖｏ１．２７，Ｎｏ．６　Ｄｅｃｅｍｂｅｒ，２００８　文章编号：１００１—９０１４（２００８）０４—０４１７—０４　环孑Ｌ工艺的碲镉汞长波红外５７６×６　焦平面探测器组件　姚　英　，　庄继胜　，　邹继鑫　，　姬荣斌　，　朱颖峰　，　陈晓屏　，　范宏波　，　蔡　毅　（１．昆明物理研究所，云南昆明６５０２２３；２．华东光电集成器件研究所，安徽蚌埠２３３０４２）　摘要：碲镉汞长波红外５７６×６焦平面探测器组件是高性能热像仪的核心组件．本文中作者完成了碲镉汞长波红外　５７６×６焦平面探测器组件的设计，利用环孔技术制备出５７６×６焦平面探测器芯片，经过杜瓦封装、配斯特林制冷　机后成为实用的探测器组件．性能参数测试表明：典型的探测率达到１．７９×１０“ｃｍ　Ｈｚ　／Ｗ，非均匀性达到１４．６％，　盲元率达到６．０％，并完成探测器组件的实验室演示成像．　关键词：环孔技术；碲镉汞；长波红外；５７６×６焦平面探测器组件　中图分类号：ＴＮ２１５　文献标识码：Ａ　ＨｇＣｄＴｅ　ＬＷＩＲ　５７６×６　ＦＰＡ　ＰＲＥＰＡＲＥＤ　ＢＹ　ＬＯＯＰＨＯＬＥ　ＴＥＣＨＮＩＱＵＥ　ＹＡＯ　Ｙｉｎｇ　，ＺＨＵＡＮＧ　Ｊｉ—Ｓｈｅｎｇ　，ＺＯＵ　Ｊｉ—Ｘｉｎ　，ＪＩ　Ｒｏｎｇ．Ｂｉｎ　，　ＺＨＵ　Ｙｉｎｇ－Ｆｅｎｇ　，ＣＨＥＮ　Ｘｉａｏ．Ｐｉｎｇ　，ＦＡＮ　Ｈｏｎｇ．Ｂｏ　，ＣＡＩ　Ｙｉ　（１．Ｋｕｎｍｉｎｇ　Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ　ｏｆ　Ｐｈｙｓｉｃｓ，Ｋｕｎｍｉｎｇ　６５０２２３，Ｃｈｉｎａ；　２．Ｅａｓｔ　Ｃｈｉｎａ　Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ　ｏｆ　Ｐｈｏｔｏ—Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　ＩＣ，Ｂｅｎｇｂｕ　２３３０４２，Ｃｈｉｎａ）　Ａｂｓｔｒａｃｔ：ＨｇＣｄＴｅ　ｌｏｎｇ　ｗａｖｅ　ｉｎｆｒａｒｅｄ（ＬＷＩＲ）５７６×６　ｆｏｃａｌ　ｐｌａｎｅ　ａｓｓｅｍｂｌｙ（ＦＰＡ）ｉｓ　ａ　ｃｏｒｅ　ｓｓａｅｍｂｌｙ　ｏｆｈｉｇｈ　ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ　ｔｈｅｒｍａｌ　ｉｍａｇｅｒ．Ｉｎ　ｔｈｉｓ　ｓｔｕｄｙ，ｔｈｅ　ｄｅｓｉｇｎ　ｏｆ　ＨｇＣｄＴｅ　ＬＷＩＲ　５７６×６　ＦＰＡ　Ｗａｓ　ｃｏｍｐｌｅｔｅｄ，ａｎｄ　ｔｈｅ　５７６×６　ｆｏｃａｌ　ｐｌａｎｅ　ａｒｒａｙｓ　ｗｅｒｅ　ｐｒｅｐａｒｅｄ　ｗｉｔｈ　ｌｏｏｐｈｏｌｅ　ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ．Ｔｈｅ　ｉｎｔｅｇｒａｔｉｖｅ　５７６×６　ＦＰＡ　ｗａｓ　ｏｂｔａｉｎｅｄ　ｂｙ　ｐａｃｋａｇｅｄ　ｉｎ　Ｄｅｗａｒ／Ｓｔｉｒｌｉｎｇ　ｃｏｏｌｅｒ　ａｓｓｅｍｂｌｙ．Ｐａｒａｍｅｔｅｒｓ　ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔｓ　ｓｈｏｗ　ｔｈａｔ　ｔｈｅ　ｔｙｐｉｃａｌ　ｄｅｔｅｃｔｏｒ　ａｖｅｒａｇｅ　ｐｅａｋ　ｄｅｔｅｃｔａｂｉｌｉｔｙ　ｉｓ　１．７９×１０“ｃｍ　Ｈｚ　／Ｗ．　ｔｈｅ　ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ　ｉｓ　１４．６％．ａｎｄ　ｔｈｅ　ｄｉｅｄ　ｄｅｔｅｃｔｉｖｅ　ｅｌｅｍｅｎｔ　ｉｓ　６．Ｏ％．Ｔｈｅ　ｔｈｅｒｍａｌ　ｉｍａｇｉｎｇ　ｏｆ　ｔｈｅ　５７６×６　ＦＰＡ　ｈａｓ　ａｌｓｏ　ｂｅｅｎ　ｄｅｍｏｎｓｔｒａｔｅｄ　ｉｎ　ｔｈｅ　ｌａｂｏｒａｔｏｒｙ．　Ｋｅｙ　ｗｏｒｄｓ：ｌｏｏｐｈｏｌｅ　ｔｅｃｈｎｉｑｕｅ；ＨｇＣｄＴｅ；ｌｏｎｇ　ｗａｖｅ　ｉｆｒｎｒｅｄ（ＬＷＩａＲ）；５７６×６　ｆｏｃａｌ　ｐｌａｎｅ　ａｓｓｅｍｂｌｙｃ（ＦＰＡ）　引言　第二代高性能热像仪的核心组件之一是长线列　长波红外焦平面探测器组件　其热灵敏度和空间分　辨力制约着热像仪的性能，热成像技术发展中的一　个主要问题是如何协调和折中热灵敏度和空间分辨　焦平面探测器组件Ｌ２　Ｊ．法国、德国研制的碲镉汞长　波红外焦平面探测器有４８０×４／６、５７６×４／６等规　格　～　．　碲镉汞焦平面探测器由碲镉汞探测元列阵与硅　读出电路芯片互连而成，目前实现两者互连的技术　有倒装互连技术　和环孔互连技术　Ｊ．倒装互连是　力的矛盾，这既是目标探测和识别理论的客观反映，　微电子技术中的高密度封装技术，可实现将上述两　个二维芯片集成为一个芯片组件；环孔互连技术是　又是提高热像仪性能的途径．第一代热成像技术如　此，包括采用扫描和凝视技术的第二代热成像技术　也不例外．美国第二代高端热像仪采用碲镉汞长波　红外４８０×４／６长线列焦平面探测器组件…．英国第　半导体平面工艺中的多层电极引线立体互连技术，　通过垂直互连实现探测器列阵与读出电路芯片的立　体互连．当用离子束刻蚀Ｐ型碲镉汞互连环孔的同　二代高端热像仪用碲镉汞长波红外７６８×８长线列　收稿日期：２００７—１１・０６，修回日期：２００８—０２—２０　时，汞原子内扩散与材料中剩余施主杂质的共同作　Ｒｅｃｅｉｖｅｄ　ｄａｔｅ：２００７一ｌ１—０６，ｒｅｖｉｓｅｄ　ｄａｔｅ：２００８・０２－２０　作者简介：姚英（１９６５．），女，云南昆明人，研究员，工程硕士，从事红外探测器研究．　４ｌ８　红外与毫米波学报　２７卷　用在互连环孔周围形成一个圆柱形Ｎ—ｏｎ．Ｐ结Ｌ９　Ｊ，因　此带来如下优点：工艺和设备相对简单，设备投入　少；探测元正面照射、无衬底吸收，利用人射红外辐　射能量较充分；芯片组件可靠性高，碲镉汞晶片通过　粘接并金属化环孔列阵与读出电路互连，能很好承　４＿４行　＠００　＠＠０　０＠＠　＠＠０　＠＠＠　＠＠＠　寸０　受温度、机械应力；对碲镉汞材料的要求较低，在离　子刻蚀过程中的汞原子内扩散具有微区提纯作用，　可将Ｐ．Ｎ结区内的杂质原子驱赶到其外部．　通过环孔工艺可研究如下问题：离子刻蚀过程　０　Ｉ　在Ｐ型碲镉汞晶体中形成Ｐ－Ｎ结的成结机理；碲镉　汞环孔Ｐ．Ｎ结物理模型和特性＿】。。；将Ｎ．ｏｎ．Ｐ结构　的碲镉汞光伏探测器截止波长扩展到１２．５　ｍ；制　作高密度大规模碲镉汞探测器组件芯片，探测元的　面密度在倒装工艺中取决于铟柱列阵制作工艺，在　环孔工艺中则取决于碲镉汞晶体少数载流子的扩散　长度…．此外环孔工艺可实现直接将生长在读出电　仟０＠０＠０＠　＠０＠＠０＠．０　０＠＠＠＠０＠＠＠０＠　　路晶圆上的光敏材料制作成探测器列阵并完成两者　图１　５７６×６探测器列阵结构　Ｆｉｇ．１　Ｔｈｅ　ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ　ｏｆ　５７６×６　ｄｅｔｅｃｔｏｒ　ａｒｒａｙ　读　之间机、电、热的互连，具有把“长材料、做器件”的　一『传统探测器工艺发展成为新的“长器件”工艺的潜　力，因此在焦平面探测器领域有持续发展和应用的　前景．美国ＤＲＳ公司、英国ＢＡＥ公司已用环孔工艺　．．＠＠＠＠０　钉０　０＠＠＠０．●＠０＠＠＠０　０　０　０　０＠＠　　＠＠＠０＠＠．０＠＠０＠圩．研制和生产了包括７６８×８规格在内的碲镉汞长波　２＃１－焦平面探测器组件¨　．　｝　０④＠＠＠。』．　图２用环孔工艺制备的碲镉汞焦平面探测器示意图　Ｆｉｇ．２　Ｔｈｅ　ｄｉａｇｒａｍ　ｏｆ　ａ　ｌｏｏｐｈｏｌｅ　ＨｇＣｄＴｅ　ＦＰＡ　方一　址　国内采用倒装互连和环孑Ｌ互连工艺研制碲镉汞　一　　一＠０＠＠０　●＠００　０＠＠＠＠＠０＠　＠．　能指标为　（１）输出动态范围：￣＞７７ｄＢ　（２）功耗：≤１００ｍＷ　（３）视频输出通道：８　碲镉汞材料主要性能参数为　长波红外５７６×６长线列焦平面探测器组件（以下简　行＠＠＠＠＠０　＠＠０＠＠＠．　：０　０＠＠＠＠Ｌ　称５７６×６探测器组件）．作者采用环孔工艺等研制　＠０　０＠０　成功５７６×６探测器组件样品，对环孔Ｐ．Ｎ结的成结　机理、物理模型和器件特性进行研究、测试和实验室　热成像演示．　（１）组份及其非均匀性：（０．２１０～０．２１８）±　０．Ｏ０３ｍｏｌｅ　１　５７６　Ｘ　６探测器组件设计　根据热像仪要求¨　，作者选择５７６×６规格、探　（２）载流子浓度：（３—８）×１０　／ｃｍ　（３）迁移率：＞￣４００ｃｍ　／Ｖｓ　环孔工艺原理示意如图２所示．将碲镉汞晶片　测元采用错位密排结构（见图１），主要设计参数为　（１）探测元尺寸：４５３０￣ｍ　（２）排列方式：（４×１４４）×６　（３）探测元间距：１４１ｘｍ／４３　ｍ（垂直于扫　描方向／扫描方向）　和读出电路划片成单个芯片，把两者粘接为一体，减　薄碲镉汞芯片的厚度至ｌＯｐ．ｍ，在碲镉汞晶片上制　备５７６×６环孔Ｎ－ｏｎ－Ｐ探测器列阵的同时形成垂直　互连环孔列阵，将环孔列阵金属化后完成碲镉汞探　５７６×６探测器组件采用与２８８×４探测器相同　测元列阵与读出电路芯片的垂直互连．　的工程化杜瓦与０．５Ｗ整体集成式斯特林制冷机．　通过电路建模、设计软件等完成５７６×６　ＣＭＯＳ读出电路的设计与仿真，其主要功能为：任　意像元剔除，双向ＴＤＩ扫描，积分时间可调，８档输　入积分电荷容量可调，１６位ＴＤＩ移位寄存器，抗光　晕功能和背景撇除功能．其设计和达到的主要性　２　５７６　ｘ６探测器实验结果　环孑Ｌ碲镉汞长波红外探测器，．　特性和光谱响　应如图３和图４所示，５７６×６探测器芯片照片如图　５所示，５７６×６环孔列阵金属化的局部照片如图６　所示．用波长９００ｎｍ、聚焦光斑为５　ｍ的激光束扫　４期　姚英等：环ＴＬ３２艺的碲镉汞长波红外５７６×６焦平面探测器组件４１９　１．５　１．０　Ｏ．５　６　０　．０．５　１．Ｏ　—．１．５　．２．００　一１．５　一１．ＯＯ　－０．５０　Ｖ　０．Ｏ０　０．５Ｏ　Ｔｈｏ　Ｉ－　ｎｆｎＦｉｇ　３　Ｔｈｅ　Ｉ－Ｖ　ｃｕｒｖｅ　ｏｆ　ＬＷＩＲ　ｌｏｏｐｈｏｌｅ　ＨｇＣｄＴｅ　ｄｅｔｅｃｔｏｒ　・—图ｓ环孔工艺制备的长波红外碲镉汞探测器的，－　曲线　１．Ｏ　Ｏ．９　０．８　Ｏ．７　０．６　。　６　５　；　盏　片ｌ。。ｐ　。５７６　６　ｒａｙ０．５　重０．４　０ｌ３　０．２　Ｏ．１　０　图４环孔工艺制备的长波红外碲镉汞探测器的光谱响应　曲线　Ｆｉｇ．４　Ｔｈｅ　ｓｐｅｃｔｒｕｍ　ｒｅｓｐｏｎｓｅ　ｃｕｒｖｅ　ｏｆ　ａ　ＬＷＩＲ　ｌｏｏｐｈｏｌｅ　ＨｇＣｄＴｅ　ｄｅｔｅｃｔｏｒ　图７　５７６×６探测元列阵激光感生电流成像的局部照片　Ｆｉｇ．７　Ｔｈｅ　ｐａｒｔ　ｏｆ　ａ　ｐｈｏｔｏ　ｏｆ　ｌａｓｅｒ　ｂｅａｍ　ｉｎｄｕｃｔｉｏｎ　ｃｕｒｒｅｎｔ　（ＬＢＩＣ）ｏｆ　５７６　Ｚ６　ａｒｒａｙ　表１　５７６　ｘ６探测器芯片的主要性能参数　Ｔａｂｌｅ　１　Ｔｈｅ　ｍａｉｎ　ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ　ｏｆ　ｔｈｅ　５７６×６　ＦＰＡ　响应波段（　ｍ）　平均峰值响应率（、ｒ／ｗ）　平均峰值探测率（ｃｍ　Ｈｚ　／Ｗ）　响应率不均匀性（％）　７．５—１０．０　１．９０　Ｘ１０ｓ　１．７９×１０“　ｌ４．６　６．０　盲元率（％）　３分析与讨论　用环孔工艺研制的碲镉汞光伏探测器的，－　特　图５用环孔工艺研制的５７６×６碲镉汞焦平面探测器芯片　照片　Ｆｉｇ．５　Ｔｈｅ　ｐｈｏｔｏ　ｏｆ　ｔｈｅ　５７６　Ｘ　６　ｌｏｏｐｈｏｌｅ　ＨｇＣｄＴｅ　ＦＰＡ　ｃｈｉｐ　性良好，典型Ｒ　Ａ可达２０￣ｃｍ　以上，典型探测器的　峰值波长９．８　ｍ，满足设计要求．因碲镉汞探测器　列阵芯片上、下两个表面均需要钝化，良好的，．　特　性反映了碲镉汞晶片的减薄、钝化和成结等关键工　描５７６　Ｘ６探测器芯片、用芯片两侧的地电极收集　被激发的感生电流，并用其调制显示器即得到其　激光感生电流像，如图７所示．５７６　Ｘ　６探测器组件　测试参数如表１所列，５７６×６探测器组件所成热　图像如图８所示．　艺已达到研制出５７６　Ｘ６探测器芯片的水平，作者甚　至用碲镉汞体晶也制备出可进行热成像演示的５７６　Ｘ６探测器．　用环孔工艺可制作出均匀、互连成功率很高的　５７６　Ｘ６环孔列阵．图６中的亮点是环孔列阵金属化　４２０　红外与毫米波学报　２７卷　采用环孑Ｌ工艺可以实现大部分５７６×６探测器芯片　组件１００％互连．激光感生电流成像技术作为５７６×　６探测器芯片组件中间过程测试手段，芯片的感生　电流图像可以半定量对５７６×６探测器芯片进行性　能评估．组件参数测试和成像演示表明：用环孔工艺　制作的５７６×６探测器组件性能达到了热像仪和组　件总体设计的第一个目标．　致谢　作者衷心地感谢昆明物理研究所红外探测器　图８　５７６×６焦平面探测器组件的原始热图像（未进行非　均性校正）　Ｆｉｇ．８　Ｔｈｅ　ｏｒｉｇｉｎａｌ　ｔｈｅｒｍａｌ　ｉｍａｇｉｎｇ　ｏｆ　５７６×６　ＦＰＡｆ　ｎｏ　Ｎｏｎ—　材料、杜瓦、制冷机、热像仪项目组的全体同志所做出　的贡献，感谢华东光电技术研究所读出电路项目组为　Ｕｎｉｆｏｍｉｒｔｙ　Ｃｏｒｒｅｌａｔｉｏｎ）　读出电路做出的贡献，特别感谢本所红外焦平面探测　器研究室的全体同志长期辛勤的工作和努力．　后的光反射．通过大量试验，作者实现了７０％的５７６　×６探测器芯片达到１００％的互连．对５７６×６探测　ＲＥＦＥＲＥＮＣＥＳ　器进行了高低温贮存、高低温工作、温度循环、机械　振动和冲击等环境试验证明环孔互连具有较高的热　学及力学可靠性．　［１］Ｍｉｃｈａｅｌ　Ａ　Ｋｉｎｃｈ．ＨＤＶＩＰＴ　ＦＰＡ　ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ　ａｔ　ＤＲＳ［Ｊ］．　ＳＰ腰，２００１，４３６９：５６６—＿５７８．　『２］ＢａｋｅｒＩＭ．Ｍａｘｅｙ　Ｃ　Ｄ．Ｓｕｍｍａｒｙ　ｏｆＨｇＣｄＴｅ　２Ｄ　ａｒｒａｙｔｅｃｈ．　在激光感生电流图像中，一个灰度代表一个感　生电流值．灰度大对应感生电流强度大，反之亦然．　当激光束扫描５７６×６探测器芯片无光敏元的碲镉　汞晶片部分，从芯片的两个地电极测量感生电流．因　晶体内部均匀、无内建电场，所以两个电极之间无感　生电流输出，对应这些部分的感生电流图像呈均匀　且无对比度的灰色．当激光束扫描到５７６×６探测器　芯片光敏元列阵时，每个探测元形成灰度均匀、但对　比度不同的一对半圆图像．这是其Ｐ—Ｎ结内建电场　对感生电流作用的结果：当感生电流方向与内建电　场一致时，两个地电极之间测量到较强的电流，故对　应部分的图像灰度深，反之则浅．在探测器列阵边　缘，感生电流的路径短、电流复合小，因此其图像比　中间部分的灰度深．激光束扫描测试结果表明：好的　ｎｏｌｏｇｙ　ｉｎ　ｔｈｅ　Ｕ．Ｋ［Ｊ］．Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃ　Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，　２００１，３０（６）：６８２—６８９．　［３］Ｓｔｅｗａａ　Ｃｒａｗｆｏｒｄ，Ｊｏｈｎ　Ｍｃ　Ｄｏｎａｌｄ，Ａｄｒｉａｎ　Ｇｌａｓｓ，ｅｔ　ａ１．　ＳｘＧＡ　ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ　ＩＲ　ｓｅｎｓｏｒ：ＳＴＡＩＲＳ　Ｃ　ｌ　Ｊ　Ｉ．ＳＰＩＥ，２００２，　４７１９：１５６—１６６．　［４］Ｐｈｉｌｉｐｐｅ　Ｔｒｉｂｏｌｅｔ，Ｐｈｉｌｉｐｐｅ　ｃｈｏｒｉｅｒ，Ａｌａｉｎ　Ｍａｎｉｓｓａｄｊｉａｎ，ｅｔ　。ｆ．Ｈｉｇｈ　Ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ　ｉｎｆｒａｒｅｄ　ｄｅｔｅｃｔｏｒｓ　ａｔ　ｓｏｆｒａｄｉｒ［Ｊ］．　ＳＰＩＥ，２０００，４ｏ２８：４３８—４５６．　［５］Ｊｅａｎ　Ｐｉｅｒｒｅ　Ｃｈａｔａｒｄ．Ｓｏｆｒａｄｉｒ　ｓｅｃｏｎｄ—ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ　ＩＲＦＰＡ　ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ：ｒｅｃｅｎｔ　ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ［Ｊ］．ＳＰＩＥ，１９９４，２２６９：　４１８—４２５．　ｆ　６］Ｊｅａｎ　Ｐｉｅｒｅ　Ｃｈａｔａｒｄ．Ｓｏｆｒａｄｉｒ　ＭＣＴ　ＩＲＦＰＡ　ｎｅｗ　ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ　ｌ　Ｊ　１．　性，１９９５，２５５２：７６７＿７８９．　『７］Ｒａｉｎｅｒ　Ｄａｍｋｏｅｈｌｅｒ，Ｋｕｒｔ　Ｅｂｅｒｈａｒｄｔ，Ｒｅｉｎｈａｒｄ　Ｏｅｌｍａｉｅｒ，ｅｔ　ａ１．Ｈｉｇｈ　ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ　ｌｉｎｅａｒ　ｄｅｔｅｃｔｏｒ　ｍｏｄｕｌｅｓ　Ｉ　Ｊ　１．ＳＰＩＥ，　２Ｏ００。４０２８：１９２—。２０ｏ．　『８］Ｂａｋｅｒ　Ｉ　Ｍ．Ｉｎｆｒａｒｅｄ　Ｒａｄｉａｔｉｏｎ　Ｉｍａ￣ｎｇ　Ｄｅｖｉｃｅｓ　ａｎｄ　Ｍｅｔｈｏｄｓ　ｆｏｒ　Ｔｈｅｉｒ　ＭａｎｕｆａｃｔｕｒｅＩ　Ｐ　１．ＵＳ　Ｐａｔｅｎｔ，４５２１７９８，１９８２．　［９］ＹＡＯ　Ｙｉｎｇ．Ｍｅｃｈａｎｉｓｍ　ａｎａｌｙｓｉｓ　ｏｆ　Ｐ－ＨｇＣｄＴｅ　ｉｏｎ　ｍｉｌｌｉｎｇ　ｊｕｎｃｔｉｏｎ［Ｊ］．Ｉｎｆｒａｒｅｄ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ（姚英．Ｐ型ＨｇＣｄＴｅ离　子刻蚀Ｐ—Ｎ结成结机理分析．红外技术），２００７，２９（２）：　７１—＿７５．　５７６×６探测器芯片其探测元对激光束的光电响应　大且均匀，Ｐ．Ｎ结的感生电流图像对称、边界清晰且　不相交．这一中间测试结果从探测器组件的参数测　试和整机的热成像中得到进一步印证．　［１０］ＱＵＡＮ　Ｚｈｉ－Ｊｕｅ，ＬＩ　Ｚｈｉ—Ｆｅｎｇ，ＬＵ　Ｗｅｉ，ｅｔ　ａ１．Ｐａｒａｍｅｔｅｒｓ　ｅｘｔｒａｃｔｉｏｎ　ｆｒｏｍ　ｔｈｅ　ｄａｒｋ　ｃｕｒｒｅｎｔ　ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ　ｏｆ　ｌｏｎｇ・・ｗａｖｅ・－　ｌｅｎｇｔｈ　ＨｇＣｄＴｅ　ｐｈｏｔｏｄｉｏｄｅ［Ｊ］．　Ｉｎｒａｒｆｅｄ　ＭｉＵｉｍ．Ｗａｖｅｓ　（全知觉，李志锋，陆卫，等．光伏型碲镉汞长波探测器暗　电流特性的参数提取研究．红外与毫米波学报），２００７，　２６（２）：９２—９６．　［１１］ＺＨＯＵ　Ｌｉ．Ｗｅｉ，ＬＩＵ　Ｙｕ．Ｙａｈ．Ｔｈｅ　Ｔａｒｇｅｔ　Ｄｅｔｅｃｔｉｎｇ　ａｎｄ　４结语　综上所述，用环孑Ｌ工艺制作的长波红外碲镉汞　探测器典型Ｒ。Ａ大于２０￣ｃｍ　，截止－波长大于　９．８ｔｘｍ，具有满足研制５７６×６探测器组件的性能．　Ｄｉｓｔｉｎｇｕｉｓｈｉｎｇ［Ｍ］．Ｂｅｉｊｉｎｇ：Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ　ｏｆ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ　Ｐｒｅｓｓ　（周立伟，刘玉岩．目标探测与识别，北京：北京理工大学　出版社），２００２：１２１一ｌ７８．