专利名称：功率晶体管装置专利类型：实用新型专利发明人：陈劲甫
申请号：CN201822039005.1申请日：20181206公开号：CN209374454U公开日：20190910
摘要：本实用新型提供一种功率晶体管装置包括：基底、多个有源沟槽、多个第一栅极接触结构、N个第二栅极接触结构以及M个第三栅极接触结构。基底定义有有源区与终端区。终端区环绕有源区。有源沟槽配置在基底中。各有源沟槽中分别设置有第一栅极、第二栅极以及绝缘层。绝缘层配置在第一栅极与第二栅极之间。第一栅极接触结构配置在终端区中。N个第二栅极接触结构配置在终端区中。第一栅极接触结构位于第二栅极接触结构与有源区之间。M个第三栅极接触结构配置在有源区，其中N大于M。因此，本实用新型的功率晶体管装置，可在不影响导通电阻(R)的情况下，改善功率晶体管装置关断的切换效率。
申请人：力智电子股份有限公司
地址：中国台湾新竹县竹北市台元一街5号9楼之1
国籍：TW
代理机构：北京同立钧成知识产权代理有限公司
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