专利名称：一种提高外延晶体质量的外延生长方法专利类型：发明专利发明人：商毅博
申请号：CN201410720665.X申请日：20141201公开号：CN104485399A公开日：20150401
摘要：本发明提供一种提高外延晶体质量的外延生长方法，能有效提升LED外延的晶体质量。该外延生长方法包括以下步骤：1)以锥形PSS作为生长基底，低温生长第一缓冲层；2)高温生长第一U-GaN层,生长厚度应保证第一U-GaN层未完全覆盖PSS图形，即有PSS尖部高出第一U-GaN层表面；3)在NH环境中进行高温退火，然后降至低温，再生长第二缓冲层；4)高温生长第二U-GaN层,生长厚度应保证第二U-GaN层完全覆盖PSS图形；5)依次生长掺杂SiH的n-GaN层、多量子阱有源层、掺杂p型AlGaN阻挡层、掺杂p型GaN层，最后在氮气氛围下退火。
申请人：西安神光皓瑞光电科技有限公司
地址：710100 陕西省西安市航天基地东长安街888号
国籍：CN
代理机构：西安智邦专利商标代理有限公司
代理人：胡乐
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