专利名称：具有金属栅极的半导体元件的制作方法专利类型：发明专利
发明人：廖柏瑞,蔡宗龙,林建廷,徐韶华,陈意维,黄信富,李宗
颖,蔡旻錞,杨建伦,吴俊元,蔡腾群,黄光耀,许嘉麟,杨杰甯,陈正国,曾荣宗,李志成,施宏霖,黄柏诚,陈奕文,许哲华
申请号：CN201110085275.6申请日：20110406公开号：CN102738083A公开日：20121017
摘要：本发明提供了一种制作具有金属栅极的半导体元件的方法。此方法首先提供基底。基底包括第一导电型晶体管、第二导电型晶体管，其中第一导电型晶体管包括第一牺牲栅极，第二导电型晶体管包括第二牺牲栅极。接着移除第一导电型晶体管的第一牺牲栅极以形成第一沟槽，并于第一沟槽内形成第一金属层。移除第二导电型晶体管的第二牺牲栅极以形成第二沟槽，并于第一沟槽内以及第二沟槽内形成第二金属层。最后于第二金属层上形成第三金属层，使得第三金属层填入第一沟槽以及第二沟槽中。
申请人：联华电子股份有限公司
地址：中国台湾新竹科学工业园区
国籍：CN
代理机构：北京市柳沈律师事务所
代理人：彭久云
更多信息请下载全文后查看
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容