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一种Zn掺杂的CuS超晶格纳米花光电子材料及其制备方法和应用[发明专利]

2021-02-20 来源:小侦探旅游网
专利内容由知识产权出版社提供

专利名称:一种Zn掺杂的CuS超晶格纳米花光电子材料及其制

备方法和应用

专利类型:发明专利

发明人:高远浩,王培培,李品将,张校飞,雷岩,郑直申请号:CN201510708604.6申请日:20151028公开号:CN105271360A公开日:20160127

摘要:本发明公开了一种Zn掺杂的CuS超晶格纳米花光电子材料及其制备方法和应用,属于纳米材料技术领域;本方法采用乙醇溶剂热法,通过共沉淀结晶技术,在温和条件下利用硫粉、氯化亚铜和醋酸锌之间的化学反应,通过调控无机盐的用量比例实现掺杂原子在晶格中的均衡分布,最终获得Zn掺杂的超晶格纳米花。制备的Zn掺杂的CuS超晶格纳米花具有结晶完整性高、单分散、花的形貌完美等优点,其强烈的光电子响应特性适合作为光电子器件的响应材料。该制备方法操作简便,使用原料成本低廉,无需使用任何化学添加剂,无任何毒害副产物,环境友好,便于工业化生产获得高附加值的产品。

申请人:高远浩

地址:461000 河南省许昌市魏都区八一路88号

国籍:CN

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