专利名称：集成电路专利类型：实用新型专利发明人：S·德努尔梅,P·康德利耶申请号：CN201520951130.3申请日：20151125公开号：CN205140992U公开日：20160406
摘要：本公开涉及一种集成电路。该集成电路包括具有位于埋设绝缘层(30)上方的半导体薄膜(20n,p)的、绝缘体上硅类型的衬底(10)，包括MOS电容器(C)的一次性可编程类型的至少一个存储器单元，所述MOS电容器具有：包括至少部分地硅化(ZSE1)并且由绝缘横向区域(CI1、CI2、CI4和CI5)侧接的栅极区域(G)的第一电极区域(E1)，位于所述栅极区域(G)和所述半导体薄膜(20n和20p)之间的电介质层(OX)，以及包括位于所述绝缘横向区域(CI1、CI2、CI4和CI5)旁边并至少部分地在电介质层(OX)之下延伸的所述半导体薄膜的硅化区域(ZSE2)的第二电极区域(E2)。
申请人：意法半导体有限公司
地址：法国蒙鲁
国籍：FR
代理机构：北京市金杜律师事务所
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