专利名称：金属硅化物膜的制作方法和金属氧化物半导体器件专利类型：发明专利
发明人：小西里尔·卡布拉尔,金亨俊,斯蒂芬·M·洛斯纳格尔申请号：CN200410057407.4申请日：20040812公开号：CN1585102A公开日：20050223
摘要：本发明利用原子层淀积(ALD)方法提供了金属膜，它包含IVB或VB族金属、硅、以及可选的氮。确切地说，本发明提供了一种形成金属硅化物的低温热ALD方法以及一种形成金属氮硅化物膜的等离子体增强原子层淀积(PE－ALD)方法。本发明的方法能够在衬底表面上形成厚度为单层或更少的层的金属膜。本发明提供的金属膜能够被用于接触金属化、金属栅、或作为扩散势垒。
申请人：国际商业机器公司
地址：美国纽约
国籍：US
代理机构：中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人：王永刚
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