专利名称：多波长LED外延结构、芯片专利类型：实用新型专利
发明人：林志伟,陈凯轩,卓祥景,蔡建九,尧刚申请号：CN202020276602.0申请日：20200309公开号：CN211455713U公开日：20200908
摘要：本实用新型提供一种多波长LED外延结构、芯片，其中多波长LED外延结构包括：依次层叠的衬底、缓冲层和堆叠结构；所述堆叠结构包括：多个发光结构、非掺杂覆盖层和绝缘层，所述发光结构包括依次层叠的N型导电层、有源层和P型导电层，多个发光结构依次层叠于所述缓冲层远离衬底的一侧且N型导电层靠近所述缓冲层设置；所述非掺杂覆盖层和绝缘层层叠且设于相邻两个发光结构之间，所述非掺杂覆盖层靠近所述缓冲层设置，所述绝缘层远离所述缓冲层设置。具有晶体质量好的优点，实现高效多波长发光。
申请人：厦门乾照半导体科技有限公司
地址：361001 福建省厦门市火炬高新区(翔安)产业区翔天路267号
国籍：CN
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