专利名称：一种基于废旧光伏硅片制备的SiC基光催化剂、合
成方法及其应用
专利类型：发明专利
发明人：王临才,王晨峰,黄庆,王景伟,张承龙,白建峰申请号：CN202011276440.1申请日：20201116公开号：CN112316963A公开日：20210205
摘要：本发明公开了一种基于废旧光伏硅片制备的SiC基光催化剂、合成方法及其应用；本发明的SiC基光催化剂的基底材料为一种利用废弃光伏硅片制备的纳米SiC，在基底材料的表面负载
AgPO/M‑PO(M:Co、Mn、Fe等)。本发明采用碳热还原法制备纳米SiC，进而以所得的纳米SiC为基底采用液相沉淀法负载AgPO/M‑PO。本发明合成方法操作简单，可实现废弃光伏硅片的原位回收和循环利用，制得的催化剂还可用于废水中染料的降解。
申请人：上海第二工业大学
地址：201209 上海市浦东新区金海路2360号
国籍：CN
代理机构：上海正旦专利代理有限公司
代理人：王洁平
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