您的当前位置:首页一种在导电基底上制备FeO纳米管阵列的方法[发明专利]

一种在导电基底上制备FeO纳米管阵列的方法[发明专利]

2024-07-12 来源:小侦探旅游网
专利内容由知识产权出版社提供

专利名称:一种在导电基底上制备FeO纳米管阵列的方法专利类型:发明专利

发明人:佘广为,齐小鹏,师文生申请号:CN201310059785.5申请日:20130226公开号:CN103160900A公开日:20130619

摘要:本发明涉及在导电基底上制备FeO纳米管阵列的方法。本发明是以载有ZnO纳米棒阵列的导电基底作为工作电极,以铂片作为对电极,以饱和甘汞电极作为参比电极,以含有FeCl的水溶液作为电解液;通过对所述的工作电极施加恒定正电位(相对于参比电极),使得工作电极附近的电解液中的Fe2+被氧化为Fe并形成FeOOH沉淀物,FeOOH沉淀物在ZnO纳米棒的表面不断沉积,同时ZnO纳米棒逐渐溶解直至完全消失,形成FeOOH纳米管阵列,从而得到生长有FeOOH纳米管阵列的导电基底;然后在管式炉中进行高温退火,使FeOOH纳米管阵列转化为FeO纳米管阵列,在导电基底上得到FeO纳米管阵列。

申请人:中国科学院理化技术研究所

地址:100190 北京市海淀区关村东路29号

国籍:CN

代理机构:上海智信专利代理有限公司

代理人:李柏

更多信息请下载全文后查看

因篇幅问题不能全部显示,请点此查看更多更全内容