IMD测量电路结构和IMD性能测试方法

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN201210398546.8 （22）申请日 2012.10.18

（71）申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

地址 201203 上海市浦东新区张江路18号

（10）申请公布号 CN103779327A

（43）申请公布日 2014.05.07

（72）发明人 宋卓;赵永

（74）专利代理机构 北京德琦知识产权代理有限公司

代理人 牛峥

（51）Int.CI

权利要求说明书 说明书 幅图

（54）发明名称

IMD测量电路结构和IMD性能测试方法

（57）摘要

本发明公开了一种IMD测量电路结构和

IMD性能测试方法，该IMD测量电路结构设置于第一测量焊垫和第二测量焊垫之间，其包括金属线层对金属线层结构、通孔末端对金属线层结构、上层金属线层对下层金属线层结构以及通孔对通孔结构。本发明的IMD测量电路结构中同时包含了多种结构，因此在整个IMD测量电路结构中同时兼具了这些结构所反映的性能，所以在进行IMD性能测试时采用本发明的IMD测量电路结

构，仅进行一次针对本发明的IMD测量电路结构的IMD性能测试，便可以获得包括多种结构在内的IMD的性能。本发明不需要再设计大量的测试结构并进行多次测试，极大的简化了IMD测试过程，使得测试过程简单且高效，从而缩短了半导体集成电路的生产周期，降低了生产成本。

法律状态

法律状态公告日

2014-05-07 2014-06-04 2017-03-15

法律状态信息

公开

实质审查的生效 授权

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公开

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权利要求说明书

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说明书

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