专利名称：外延片以及半导体元件专利类型：发明专利
发明人：大塚健一,黑田研一,渡边宽,油谷直毅,炭谷博昭申请号：CN201080060769.2申请日：20101227公开号：CN102714143A公开日：20121003
摘要：提供一种碳化硅外延片以及碳化硅半导体元件，可提高外延生长层的晶体质量，在形成厚膜的外延生长层时也不会使载流子移动性降低，且元件电阻低。碳化硅半导体元件（101）具有：n型碳化硅基板（1），以浓度C掺杂了氮那样的通过掺杂会使晶格常数减小的掺杂物；n型碳化硅外延生长层（3），以比碳化硅基板小的浓度掺杂了与碳化硅基板（1）相同的掺杂物；和n型缓冲层，在碳化硅基板（1）与碳化硅外延层（3）之间掺杂了所述掺杂物。缓冲层（2）以层叠了2层以上的相同厚度的层而成的多层构造形成，相对多层构造的层数N，从碳化硅外延层（3）侧起第K个层的掺杂浓度成为C·K/（N+1）。
申请人：三菱电机株式会社
地址：日本东京
国籍：JP
代理机构：中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人：许海兰
更多信息请下载全文后查看
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容