一种超低电容TVS二极管结构及其制备方法

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN201610166380.5 （22）申请日 2016.03.23

（71）申请人 上海安微电子有限公司

地址 200233 上海市徐汇区桂平路680号33幢303-45室

（10）申请公布号 CN105679836A

（43）申请公布日 2016.06.15

（72）发明人 杨忠武 （74）专利代理机构

代理人

（51）Int.CI

H01L29/861; H01L29/06;

权利要求说明书 说明书 幅图

（54）发明名称

一种超低电容TVS二极管结构及其制备方法

（57）摘要

本发明提供一种超低电容电子产品ESD保

护的瞬态抑制保护器（TVS）二极管及其制备方法，此方法采用高电阻率的硅片来降低二极管PN结电容，并通过注入杂质来局部调节PN结接触区的低浓度区的浓度来达到设计的低电压，既达到超低电容，低压，又保证功率良好的效果。本发明是在高电阻率第一种杂质的硅片上形成间隔排

列深结和浅结的第二种杂质区，并在浅结的第二种杂质区下面通过注入第一种杂质来调节PN结的接触区的浓度比，达到设计的反向雪崩击穿电压。深结区形成超低电容，调整深结和浅结区面积比例和高电阻率区的电阻率达到设计的电容值；调整深结区的深度达到高的功率值。本发明TVS主要应用于超高频电子设备的ESD保护上，应用范围广泛。

法律状态

法律状态公告日2016-06-15 2016-06-15 2016-06-15 2018-08-10 2018-08-10 2019-09-10

法律状态信息

公开 公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效

专利申请权、专利权的转移

法律状态

公开 公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效

专利申请权、专利权的转移

权利要求说明书

一种超低电容TVS二极管结构及其制备方法的权利要求说明书内容是....请下载后查看

说明书

一种超低电容TVS二极管结构及其制备方法的说明书内容是....请下载后查看