专利名称：掩膜板、电容器阵列和半导体器件专利类型：实用新型专利发明人：吴晗
申请号：CN201821638293.6申请日：20181009公开号：CN208922054U公开日：20190531
摘要：本实用新型提供了一种掩膜板、电容器阵列和半导体器件，能够通过一次曝光工艺制作出电容孔阵列以及围绕在电容孔阵列周围且具有波浪形侧壁的环形沟槽，所述环形沟槽的操作窗口较大，能够避免刻蚀不到位的情况，从而能够防止电容器阵列边界形成多余且较小的电容开口，进而提高最终制得的器件的可靠性。
申请人：长鑫存储技术有限公司
地址：230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
国籍：CN
代理机构：上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：智云
更多信息请下载全文后查看
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容