专利名称：功率晶体管及其结终端结构专利类型：实用新型专利发明人：李学会
申请号：CN201520664542.9申请日：20150828公开号：CN205004337U公开日：20160127
摘要：本实用新型涉及一种功率晶体管的结终端结构，包括：衬底；形成于衬底上且由内向外依次设置的过渡场限环、复合场限环结构和截止环；以及分压保护结构；分压保护结构中的栅氧化层形成于各掺杂区表面；场氧化层、第一介质层和第二介质层形成于各掺杂区一侧的衬底上且呈台阶依次向上分布；多晶硅场板部分覆盖栅氧化层且部分覆盖场氧化层；第一接触孔贯穿第一介质层且与多晶硅场板相连；金属场板部分覆盖第一介质层和第二介质层；金属场板与多晶硅场板通过第一接触孔连接。上述结终端结构能够提高功率晶体管的击穿电压且终端面积较小。本实用新型还涉及一种功率晶体管。
申请人：深圳深爱半导体股份有限公司
地址：518118 广东省深圳市龙岗区宝龙工业城宝龙七路3号
国籍：CN
代理机构：广州华进联合专利商标代理有限公司
代理人：吴平
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