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一种过流过压保护IC芯片

来源:小侦探旅游网
(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)实用新型专利

(21)申请号 CN201020620537.5 (22)申请日 2010.11.24

(71)申请人 南通明芯微电子有限公司

地址 226634 江苏省南通市海安县老坝港镇工业园区

(10)申请公布号 CN201868431U

(43)申请公布日 2011.06.15

(72)发明人 周明;申云

(74)专利代理机构 扬州市锦江专利事务所

代理人 江平

(51)Int.CI

权利要求说明书 说明书 幅图

(54)发明名称

一种过流过压保护IC芯片

(57)摘要

一种过流过压保护IC芯片,涉及一

种半导体器件的制造技术领域,在P-区的两面局部分别矩阵设置P扩散区,在所述P-区及P扩散区的另一面分别设置N扩散区,在所述N扩散区的外侧分别设置玻璃钝化区,在所述N扩散区表面局部分别设置P+扩散区,在部分所述P+扩散区的另一面分别设置镀膜区,在所述设置有镀膜区的P+扩散区的外侧、其余P+扩散区的外表面及N扩散区的外表面分别设置PN结平面SiO 法律状态

法律状态公告日

2011-06-15 2011-06-15 2019-11-12

授权 授权

法律状态信息

授权 授权

法律状态

专利权的终止 专利权的终止

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说明书

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