作者机构： 中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津300220出版物刊名： 科技创新与应用页码： 12-12页
年卷期： 2016年 第33期
主题词： 硅外延片 电容-电压法 势垒电容
摘要：文章采用化学气相沉积（CVD）方法,生长N/N＋型硅外延片;试验中采用电容-电压方法,通过金属汞与硅外延片表面接触形成肖特基势垒,测试势垒电容并转换为外延层载流子浓度和电阻率,实现对外延层电阻率的测量。在此过程中,我们采用H2O2水浴处理硅外延片表面,形成10~15魡的氧化层,并对比分析了装汞量、吸附汞真空压力以及水平校准方式对电阻率测试结果的影响。
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