（12）发明专利说明书
（21）申请号 CN201010183319.4 （22）申请日 2010.05.26 （71）申请人 湖南大学
地址 410082 湖南省长沙市麓山南路2号
（10）申请公布号 CN101824592B
（43）申请公布日 2011.07.20
（72）发明人 周灵平;李智;朱家俊;彭坤
（74）专利代理机构 长沙正奇专利事务所有限责任公司
代理人 马强
（51）Int.CI
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
一种增强AlN薄膜择优取向生长的沉积方法
（57）摘要
一种增强AlN薄膜择优取向生长的沉
积方法，步骤有：采用离子束辅助沉积技术制备AlN同质过渡层：在衬底上用2.0～2.5keV/20～50mA的Ar 法律状态
法律状态公告日
2010-09-08 2010-09-08 2010-10-27 2010-10-27 2011-07-20 2011-07-20
公开 公开
实质审查的生效 实质审查的生效 授权 授权
法律状态信息
公开 公开
法律状态
实质审查的生效 实质审查的生效 授权 授权
法律状态公告日
2018-09-04
法律状态信息
专利申请权、专利权的转移
法律状态
专利申请权、专利权的转移
权利要求说明书
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说明书
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