（12）发明专利申请
（21）申请号 CN202010077300.5 （22）申请日 2020.01.26 （71）申请人 孙蕾蕾
地址 230093 安徽省合肥市肥西县桃花镇和昌中央悦府
（10）申请公布号 CN111244233A
（43）申请公布日 2020.06.05
（72）发明人 孙蕾蕾 （74）专利代理机构
代理人
（51）Int.CI
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
LED制备工艺
（57）摘要
本发明提供了一种LED制备工艺，包括提
供一衬底；对衬底进行高温处理；依次形成缓冲层、未掺杂层、第一半导体层、发光层、第二半导体层；所述缓冲层包括依次形成在所述衬底上的第一缓冲层、第二缓冲层、第三缓冲层，所述第一缓冲层形成过程中温度逐渐减低，所述第二缓冲层形成过程中温度保持不变，所述第三缓冲层形成过程中温度逐渐升高。本发明通过不同温度下形成的多种晶体形态缓冲层，释放了缓冲层
自身的内部应力，最后形成的缓冲层表面也较普通缓冲层平滑，得到外延片表面形貌好，由于制备过程中充分利用了利用降温和升温阶段，无需单独的步骤形成，节省了制程时间，最后得到的LED结晶质量好、缺陷密度低。
法律状态
法律状态公告日
2020-06-05 2020-06-05 2020-06-30
法律状态信息
公开 公开
实质审查的生效
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权利要求说明书
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说明书
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