专利名称:极紫外光曝光装置和方法及制造半导体器件的方法专利类型:发明专利
发明人:李承润,李斗珪,张赞三申请号:CN201910628673.4申请日:20190712公开号:CN111077739A公开日:20200428
摘要:提供了极紫外光(EUV)曝光装置和方法,以及通过使用该曝光方法制造半导体器件的方法,其最小化EUV曝光工艺中由反射镜导致的误差以改进套刻误差。EUV曝光设备包括:EUV源,配置为生成和输出EUV;第一照明光学器件,配置为将EUV传递到EUV掩模;投影光学器件,配置为将从EUV掩模所反射的EUV投影到曝光目标上;激光源,配置为生成和输出激光束以用于加热;以及第二照明光学器件,配置为将激光束照射到在投影光学器件中所包括的至少一个反射镜上。
申请人:三星电子株式会社
地址:韩国京畿道
国籍:KR
代理机构:北京市柳沈律师事务所
代理人:邵亚丽
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