（12）实用新型专利
（21）申请号 CN201420028341.5 （22）申请日 2014.01.17
（71）申请人 中国科学院上海技术物理研究所
地址 200083 上海市虹口区玉田路500号
（10）申请公布号 CN203774351U
（43）申请公布日 2014.08.13
（72）发明人 黄志明;欧阳程;周炜;吴敬;高艳卿;黄敬国;褚君浩 （74）专利代理机构 上海新天专利代理有限公司
代理人 郭英
（51）Int.CI
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
正入射浸没式非制冷薄膜型红外探测器
（57）摘要
本实用新型公开了一种正入射浸没式非制
冷薄膜型红外探测器，所述的红外探测器敏感元薄膜表面有一能会聚红外信号的锗单晶半球透镜，探测器的敏感元薄膜位于锗透镜聚光中心焦点位置。本实用新型设计的器件结构制备工艺简单，只需进行一次图形光刻，两次切片和两次掩膜镀金，即能将薄膜型红外探测器的电极由薄膜表面引到衬底背面，实现了红外敏感元薄膜的正入射浸没式探测，避免了背入射条件下红外辐射
信号因衬底反射和吸收而造成的光损失，大幅提高了薄膜型红外探测器的响应率和探测率，降低了器件的响应时间；且所设计的器件结构利于引线和封装，可用于正入射浸没式薄膜型红外探测器的批量生产。
法律状态
法律状态公告日
2014-08-13 2014-08-13 2018-03-06
法律状态信息
授权 授权 专利权的终止
法律状态
授权 授权
专利权的终止
权利要求说明书
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说明书
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