专利名称：带有局部冷却装置的多晶硅热场专利类型：实用新型专利发明人：张志强
申请号：CN201120321289.9申请日：20110830公开号：CN202246974U公开日：20120530
摘要：本实用新型涉及一种带有局部冷却装置的多晶硅热场，包括由上炉体和下炉体组成的炉腔，所述的炉腔内设置有一个保温腔，所述的保温腔底板上设置有冷却器，所述的冷却器呈回字型往复结构布置，冷却器的底部连通有导管，所述的导管穿过保温腔底板延升至炉腔外部。采用本实用新型可以增加多晶硅助凝块底部温度分布的均匀性，在利用籽晶诱导法生长铸锭单晶时，在化料后期强化边缘冷却效果，保护籽晶不被完全融化；在化料过程中可以提高热场温度，加快籽晶以上部分硅料的熔化速度，缩短生长周期；能够减少晶体内由于温度梯度差引起的位错等晶体缺陷密度，提高晶体质量；在结晶初期，提高径向温度梯度，促进晶粒横向生长，增大多晶硅柱状晶晶粒的直径。
申请人：常州天合光能有限公司
地址：213031 江苏省常州市新北区电子产业园天合路2号
国籍：CN
代理机构：常州市维益专利事务所
代理人：路接洲
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