（12）发明专利申请
（21）申请号 CN201110233596.6 （22）申请日 2011.08.16
（71）申请人 上海华碧检测技术有限公司
地址 200433 上海市杨浦区国定东路300号3号楼105室
（10）申请公布号 CN102419337A
（43）申请公布日 2012.04.18
（72）发明人 张涛 （74）专利代理机构
代理人
（51）Int.CI
G01N23/22; G01N1/30;
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
一种MOSFET器件LDD结构的定性分析方法
（57）摘要
本发明提供了一种MOSFET器件LDD结构
的定性分析方法，包括以下步骤：A、按体积比HF∶HNO
法律状态
法律状态公告日
2012-04-18
公开
法律状态信息
公开
法律状态
法律状态公告日
2012-09-19 2014-04-09
法律状态信息
实质审查的生效
发明专利申请公布后的视为撤回
法律状态
实质审查的生效
发明专利申请公布后的视为撤回
权利要求说明书
一种MOSFET器件LDD结构的定性分析方法的权利要求说明书内容是....请下载后查看
说明书
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