专利名称：基于压电效应的高精度高场强电容式微型电场测量
传感器件
专利类型：发明专利
发明人：胡军,薛芬,何金良,杨钧清,王善祥,张波,曾嵘申请号：CN201811243890.3申请日：20181024公开号：CN109212328A公开日：20190115
摘要：一种基于压电效应的高精度高场强电容式微型电场测量传感器件，包括压电薄膜层，所述压电薄膜层的下方附着有上电极层，所述上电极层通过支撑层实现支撑，所述上电极层的下方设有固定参考层，所述固定参考层与阻抗检测装置电连接，所述上电极层通过电极引导柱与阻抗检测装置电连接。其有益效果是：具有较大的电场测量范围、较高的响应和灵敏度，以及可调控的线性度，除了工业生产大型电器设备的实时监控，还能够满足电网稳态运行监测及过电压故障暂态信号的识别等需求。
申请人：清华大学
地址：100084 北京市海淀区清华园一号
国籍：CN
代理机构：天津市尚仪知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：高正方
更多信息请下载全文后查看
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容