专利名称：电流垂直平面型巨磁致电阻传感器专利类型：发明专利
发明人：杰弗里·R·奇尔德雷斯,尼尔·史密斯申请号：CN200610105636.8申请日：20060717公开号：CN1960018A公开日：20070509
摘要：本发明涉及一种CPP GMR传感器结构，其具有自由和参考层，其中该自由和参考层的磁取向非直交。在一个实施例中，铁磁自由层膜具有标称上取向在其膜平面内、相对于定义为所述自由层的沉积平面与所述ABS的平面的交叉线的纵轴以角θ在第一方向上的偏置点磁化。铁磁参考层膜具有标称上取向在其膜平面内、相对于所述纵轴以θ角在不与所述第一方向直交的第二方向上的偏置点磁化。
申请人：日立环球储存科技荷兰有限公司
地址：荷兰阿姆斯特丹
国籍：NL
代理机构：北京市柳沈律师事务所
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