专利名称：顶栅型薄膜晶体管的制作方法及顶栅型薄膜晶体管专利类型：发明专利发明人：周志超,夏慧,陈梦申请号：CN201711177281.8申请日：20171122公开号：CN107946368A公开日：20180420
摘要：本发明提供一种顶栅型薄膜晶体管的制作方法及顶栅型薄膜晶体管。本发明的顶栅型薄膜晶体管的制作方法首先在衬底基板上依次形成第一绝缘层、第二绝缘层，利用第一道光罩在所述第二绝缘层上形成相间隔的第一过孔和第二过孔，在所述第一绝缘层上于第一过孔和第二过孔下方形成贯穿槽，该贯穿槽将所述第一过孔和第二过孔连通起来，与所述第一过孔和第二过孔共同构成垂直U型沟槽，然后在该垂直U型沟槽内填充形成有源层，最后利用第二道光罩在第二绝缘层上形成源极、漏极、栅极，简化了顶栅型薄膜晶体管的结构，减少了光罩制程数，用两道光罩即可完成一种具有垂直U型沟道的顶栅型薄膜晶体管的制作，节省了工艺制作成本。
申请人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
地址：518132 广东省深圳市光明新区公明街道塘明大道9-2号
国籍：CN
代理机构：深圳市德力知识产权代理事务所
代理人：林才桂
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