专利名称：半导体基板的蚀刻方法及半导体元件的制造方法专利类型：发明专利
发明人：室祐継,上村哲也,稻叶正,水谷笃史申请号：CN201380059067.6申请日：20131112公开号：CN104781914A公开日：20150715
摘要：本发明的蚀刻方法是在对具有含有氮化钛(TiN)的第1层及含有过渡金属的第2层的基板进行处理时，选定第1层中的表面含氧率为0.1摩尔％～10摩尔％的基板，在基板的第1层应用含有氢氟酸化合物及氧化剂的蚀刻液而去除第1层。
申请人：富士胶片株式会社
地址：日本东京港区西麻布二丁目26番30号
国籍：JP
代理机构：北京同立钧成知识产权代理有限公司
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