专利名称：包括具有三维结构的存储单元阵列的非易失性存储
器
专利类型：发明专利发明人：朴镇泽,朴泳雨申请号：CN201810449868.8申请日：20131204公开号：CN108417578A公开日：20180817
摘要：提供了一种非易失性存储器，其包括：在基底上在垂直于基底的方向上交替堆叠的多个沟道层和多个绝缘层，所述多个沟道层中的每一个包括在与基底平行的平面上沿第一方向延伸的多个沟道膜；多个导电材料，其从所述沟道层和所述绝缘层的顶部、在垂直于基底的方向上、通过每个沟道层的沟道膜中的区域延伸直到邻近基底的部分；多个信息存储膜，其在所述沟道层的沟道膜和所述导电材料之间提供；以及多个位线，其分别连接到所述沟道层。其中，所述导电材料、所述信息存储膜以及所述沟道层的沟道膜形成三维存储单元阵列；其中，所述导电材料形成多个组；并且其中，组之间的距离比彼此中导电材料之间的距离更长。
申请人：三星电子株式会社
地址：韩国京畿道
国籍：KR
代理机构：北京市柳沈律师事务所
代理人：邵亚丽
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