专利名称：增强型氮化镓晶体管的制作方法专利类型：发明专利
发明人：刘美华,孙辉,林信南,陈建国申请号：CN201610178136.0申请日：20160325公开号：CN107230619A公开日：20171003
摘要：本发明实施例提供一种增强型氮化镓晶体管的制作方法。该方法包括：在硅衬底的表面上依次生长磷掺杂的GaN介质层、氮化铝镓AlGaN介质层和氮化硅Si3N4介质层；对Si3N4介质层进行刻蚀；在露出的AlGaN介质层和剩余的Si3N4介质层上表面沉积金属层；沿着露出的Si3N4介质层的表面的预定区域向下进行干法刻蚀；在栅极接触孔中沉积SiO2介质层作为栅介质。本发明实施例在硅衬底的表面上磷掺杂的GaN介质层，减小了增强型氮化镓晶体管的表面电场，提高了耐压，另外，增强型氮化镓晶体管的栅极掺杂有磷，会有电子和空穴的复合，使得导通电阻降低，实现了氮化镓晶体管的导通电阻较小而耐压较大的工艺要求。
申请人：北京大学,北大方正集团有限公司,深圳方正微电子有限公司
地址：100871 北京市海淀区颐和园路5号
国籍：CN
代理机构：北京同立钧成知识产权代理有限公司
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