专利名称：磁控溅射纳米疏水膜制备装置专利类型：实用新型专利发明人：钱锋
申请号：CN201920781324.1申请日：20190528公开号：CN209974877U公开日：20200121
摘要：本实用新型公开了一种磁控溅射纳米疏水膜制备装置，包括真空室、蒸发室、真空获得系统、真空计、充气系统、磁控溅射系统、转架和加热丝，所述磁控溅射系统包括偏压电源和磁控溅射阴极，所述偏压电源分别与转架和磁控溅射阴极电连接，所述磁控溅射阴极和真空计安装在真空室上，所述转架和加热丝安装在真空室内，所述蒸发室位于真空室下方，并与真空室通过管道相连通，所述蒸发室内设有电阻蒸发器，所述转架位于磁控溅射阴极与蒸发室之间，所述充气系统和真空获得系统分别与真空室相连接。本实用新型同时具备了磁控溅射镀膜和蒸发镀膜这两种工艺，避免了镀膜过程中基片和镀料需要频繁装卸的问题，提高了镀膜效率和膜层的牢固性。
申请人：深圳市天星达真空镀膜设备有限公司
地址：518000 广东省深圳市坪山区坑梓街道坪山大道6340号A栋厂房101
国籍：CN
代理机构：北京商专永信知识产权代理事务所(普通合伙)
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