一种晶体硅片位错检测方法

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN201410105915.9 （22）申请日 2014.03.20

（71）申请人 晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司

地址 334100 江西省上饶市经济开发区晶科大道1号

（10）申请公布号 CN104934339A

（43）申请公布日 2015.09.23

（72）发明人 肖贵云;陈养俊;陈伟;林瑶;徐志群;金浩;陈康平 （74）专利代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司

代理人 王宝筠

（51）Int.CI

权利要求说明书 说明书 幅图

（54）发明名称

一种晶体硅片位错检测方法

（57）摘要

本发明提供一种晶体硅片位错检测方法，

先采用添加有醇类化学添加剂的碱溶液对切割晶体硅锭得到的晶体硅片进行碱处理，然后再进行化学抛光和化学腐蚀。由于所述碱溶液能够去除碱溶液腐蚀过程中产生的气泡，降低碱处理后的晶体硅片表面粗糙度，从而能够代替现有技术中的机械抛光，得到较好的抛光效果。相对于现有技术中需要碎片、预处理等工序才能进行抛光的机械抛光过程，其工艺更加简单，同时相对于机

械抛光需要的时间，本发明提供的碱处理过程需要的时间更短，提高了位错检测效率；且碱处理和化学抛光过程中无需使用昂贵的机械抛光设备，在一定程度上降低了位错检测成本。

法律状态

法律状态公告日

2015-09-23 2015-09-23 2015-10-21 2015-10-21 2017-11-07

法律状态信息

公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效 授权

法律状态

公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效 授权

权利要求说明书

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说明书

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