专利名称：汞铟碲锑化合物及其单晶材料、薄膜材料专利类型：发明专利
发明人：邹建平,郭国聪,陈文通,蔡丽珍,赵振乾申请号：CN200510067199.0申请日：20050501公开号：CN1858002A公开日：20061108
摘要：汞铟碲锑化合物及其单晶材料、薄膜材料，涉及新型红外材料。该化合物由HgTe与InSb采用真空中高温固相合成法得到。其晶体结构为闪锌矿结构。其单晶材料生长生长温度为550～650℃，控制坩埚下降速度为10～50mm/h。其薄膜材料采用分子束外延方法生长。汞铟碲锑化合物及其单晶材料、薄膜材料是一种带隙在较宽范围内可调整，结构稳定，组分均匀，制备工艺相对简单，性能可与MCT材料相媲美的新型红外材料。
申请人：中国科学院福建物质结构研究所
地址：350002 福建省福州市杨桥西路155号
国籍：CN
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