（12）发明专利申请
（21）申请号 CN201911382195.X （22）申请日 2019.12.27
（71）申请人 中国科学院电工研究所
地址 100190 北京市海淀区中关村北二条6号中科院电工所
（10）申请公布号 CN110923457A
（43）申请公布日 2020.03.27
（72）发明人 董持衡;成者;涂畅;马衍伟 （74）专利代理机构 北京高沃律师事务所
代理人 马小星
（51）Int.CI
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
一种高纯砷晶体的制备方法
（57）摘要
本发明提供了一种高纯砷晶体的制备方
法，属于原材料提纯技术领域。本发明在250～295℃进行第一阶段保温，有助于As
法律状态
法律状态公告日
2020-03-27 2020-03-27 2020-04-21
公开 公开
实质审查的生效
法律状态信息
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一种高纯砷晶体的制备方法的权利要求说明书内容是....请下载后查看
说明书
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