专利名称：外延生长用基板和晶体层叠结构体专利类型：发明专利发明人：佐佐木公平
申请号：CN201280043326.1申请日：20120806公开号：CN103781947A公开日：20140507
摘要：本发明提供能够实现在β-GaO单晶基板上形成的含Ga氧化物层的高品质化的外延生长用基板。外延生长用基板1由β-GaO系单晶构成，将其（010）面、或者相对于（010）面以37.5°以内的角度范围倾斜的面作为主面。另外，晶体层叠结构体2具有外延生长用基板1和在外延生长用基板1的主面10上形成的由含Ga氧化物构成的外延晶体20。
申请人：株式会社田村制作所
地址：日本东京都
国籍：JP
代理机构：北京集佳知识产权代理有限公司
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