模拟电子技术习题集(一)

第一章 常用半导体器件

自 测 题

一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。 （1）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（ ）

（2）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（ ） （3）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（ ） （4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。 （ ） （5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点。（ ）

（6）若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。（ ）

解：（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×

二、选择正确答案填入空内。

（1）PN结加正向电压时，空间电荷区将 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽

（2）设二极管的端电压为U，则二极管的电流方程是 。 A. ISe B. ISeUUUT C. IS(eUUT－1)

（3）稳压管的稳压区是其工作在 。

A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿

（4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏

（5）UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 。 A. 结型管 B. 增强型MOS管 C. 耗尽型MOS管 解：（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C

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三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压UD＝0.7V。

图T1.3

解：UO1≈1.3V，UO2＝0，UO3≈－1.3V，UO4≈2V，UO5≈1.3V，

UO6≈－2V。

四、已知稳压管的稳压值UZ＝6V，稳定电流的最小值IZmin＝5mA。求图T1.4所示电路中UO1和UO2各为多少伏。

图T1.4

解：UO1＝6V，UO2＝5V。

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五、某晶体管的输出特性曲线如图T1.5所示，其集电极最大耗散功率PCM＝200mW，试画出它的过损耗区。

图T1.5 解图T1.5

解：根据PCM＝200mW可得：UCE＝40V时IC＝5mA，UCE＝30V时IC≈6.67mA，UCE＝20V时IC＝10mA，UCE＝10V时IC＝20mA，将各点连接成曲线，即为临界过损耗线，如解图T1.5所示。临界过损耗线的左边为过损耗区。

六、电路如图T1.6所示，VCC＝15V，β＝100，UBE＝0.7V。试问： （1）Rb＝50kΩ时，uO＝？ （2）若T临界饱和，则Rb≈？ 解：（1）Rb＝50kΩ时，基极电流、集电极电流和管压降分别为 IB

VBBUBE26μA RbIC IB2.6mAUCEVCCICRC2V

所以输出电压UO＝UCE＝2V。 图T1.6 （2）设临界饱和时UCES＝UBE＝0.7V，所以

IC IBVCCUCES2.86mARcIC28.6A

RbVBBUBE45.4kIB 七．测得某放大电路中三个MOS管的三个电极的电位如表T1.7所示，

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它们的开启电压也在表中。试分析各管的工作状态(截止区、恒流区、可变电阻区），并填入表内。

表T1.7

管 号 T1 T2 T3

解：因为三只管子均有开启电压，所以它们均为增强型MOS管。根据表中所示各极电位可判断出它们各自的工作状态，如解表T1.7所示。

解表T1.7

管 号 T1 T2 T3

UGS（th）/V 4 －4 －4 US/V －5 3 6 UG/V 1 3 0 UD/V 3 10 5 工作状态 UGS（th）/V 4 －4 －4 US/V －5 3 6 UG/V 1 3 0 UD/V 3 10 5 工作状态 恒流区 截止区 可变电阻区 习 题

1.1 选择合适答案填入空内。

（1）在本征半导体中加入 元素可形成N型半导体，加入 元素可形成P型半导体。

A. 五价 B. 四价 C. 三价 （2）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 。 A. 增大 B. 不变 C. 减小

（3）工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为 。

A. 83 B. 91 C. 100

（4）当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将 。

A.增大 B.不变 C.减小 解：（1）A ，C （2）A （3）C （4）A

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1.2 能否将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端？为什么？ 解：不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.5V时，管子会因电流过大而烧坏。

1.3 电路如图P1.3所示，已知ui＝10sinωt(v)，试画出ui与uO的波形。设二极管正向导通电压可忽略不计。

图P1.3

解图P1.3

解：ui和uo的波形如解图P1.3所示。

1.4 电路如图P1.4所示，已知ui＝5sinωt (V)，二极管导通电压UD＝0.7V。试画出ui与uO的波形，并标出幅值。

图P1.4

解图P1.4

解：波形如解图P1.4所示。

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1.5 电路如图P1.5（a）所示，其输入电压uI1和uI2的波形如图（b）所示，二极管导通电压UD＝0.7V。试画出输出电压uO的波形，并标出幅值。

图P1.5

解：uO的波形如解图P1.5所示。

解图P1.5

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1.6 电路如图P1.6所示，二极管导通电压UD＝0.7V，常温下UT≈26mV，电容C对交流信号可视为短路；ui为正弦波，有效值为10mV。 试问二极管中流过的交流电流有效值为多少？

解：二极管的直流电流

ID＝（V－UD）/R＝2.6mA 其动态电阻 rD≈UT/ID＝10Ω 故动态电流有效值

Id＝Ui/rD≈1mA 图P1.6

1.7 现有两只稳压管，它们的稳定电压分别为6V和8V，正向导通电压为0.7V。试问：

（1）若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？ （2）若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？

解：（1）两只稳压管串联时可得1.4V、6.7V、8.7V和14V等四种稳压值。 （2）两只稳压管并联时可得0.7V和6V等两种稳压值。

1.8 已知稳压管的稳定电压UZ＝6V，稳定电流的最小值IZmin＝5mA，最大功耗PZM＝150mW。试求图P1.8所示电路中电阻R的取值范围。 解：稳压管的最大稳定电流 IZM＝PZM/UZ＝25mA

电阻R的电流为IZM～IZmin，所以其取值范围为 R

1.9 已知图P1.9所示电路中稳压管的稳定电压UZ＝6V，最小稳定电流

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UIUZ0.36～1.8k IZ图P1.8

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IZmin＝5mA，最大稳定电流IZmax＝25mA。

（1）分别计算UI为10V、15V、35V三种情况下输出电压UO的值； （2）若UI＝35V时负载开路，则会出现什么现象?为什么？

解：（1）当UI＝10V时，若UO＝UZ＝6V，则稳压管的电流为4mA，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 UO

RLUI3.33V

RRL 当UI＝15V时，稳压管中的电流大于最 图P1.9 小稳定电流IZmin，所以

UO＝UZ＝6V 同理，当UI＝35V时，UO＝UZ＝6V。

（2）IDZ(UIUZ)R29mA＞IZM＝25mA，稳压管将因功耗过大而损坏。

1.10 在图P1.10所示电路中，发光二极管导通电压UD＝1.5V，正向电流在5～15mA时才能正常工作。试问： （1）开关S在什么位置时发光二极管才能发光？ （2）R的取值范围是多少？ 解：（1）S闭合。 （2）R的范围为

Rmin(VUD)IDmax233Rmax(VUD)IDmin

700。 图P1.10

1.11 电路如图P1.11（a）、（b）所示，稳压管的稳定电压UZ＝3V，R的取值

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合适，uI的波形如图（c）所示。试分别画出uO1和uO2的波形。

图P1.11

解：波形如解图P1.11所示

解图P1.11

1.12 在温度20℃时某晶体管的ICBO＝2μA，试问温度是60℃时ICBO≈？

5 解：60℃时ICBO≈ICBO＝32μA。 （T＝20C）

1.13 有两只晶体管，一只的β＝200，ICEO＝200μA；另一只的β＝100，

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ICEO＝10μA，其它参数大致相同。你认为应选用哪只管子？为什么？

解：选用β＝100、ICBO＝10μA的管子，因其β适中、ICEO较小，因而温度稳定性较另一只管子好。

1.14已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100，现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图P1.14所示。分别求另一电极的电流，标出其实际方向，并在圆圈中画出管子。

图P1.14

解：答案如解图P1.14所示。

解图P1.14

1.15测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图P1.15所示。在圆圈中

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画出管子，并分别说明它们是硅管还是锗管。

图P1.15

解：晶体管三个极分别为上、中、下管脚，答案如解表P1.15所示。

解表P1.15

管号 上 中 下 管型 材料

1.16 电路如图P1.16所示，晶体管导通时UBE＝0.7V，β=50。试分析VBB为0V、1V、1.5V三种情况下T的工作状态及输出电压uO的值。 解：（1）当VBB＝0时，T截止，uO＝12V。 （2）当VBB＝1V时，因为 IBQ

T1 e b c PNP Si T2 c b e NPN Si T3 e b c NPN Si T4 b e c PNP Ge T5 c e b PNP Ge T6 b e c NPN Ge VBBUBEQRb60μA

ICQ IBQ3mAuOVCCICQRC9V所以T处于放大状态。 （3）当VBB＝3V时，因为 IBQVBBUBEQRb160μA

图P1.16

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ICQ IBQ8mAuOVCCICQRC＜UBE

所以T处于饱和状态。

1.17 电路如图P1.17所示，试问β大于多少时晶体管饱和？

解：取UCES＝UBE，若管子饱和，则

VCCUBEVCCUBERbRC

Rb RC所以，Rb100时，管子饱和。 RC 图P1.17

1.18 电路如图P1.18所示，晶体管的β＝50，|UBE|＝0.2V，饱和管压降|UCES|＝0.1V；稳压管的稳定电压UZ＝5V，正向导通电压UD＝0.5V。试问：当uI＝0V时uO＝？当uI＝－5V时uO＝？ 解：当uI＝0时，晶体管截止，稳压管击穿，uO＝－UZ＝－5V。

当uI＝－5V时，晶体管饱和，uO＝0.1V。因为

IBuIUBE480μARb

ICIB24mA UECVCCICRC＜VCC

图P1.18

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1.19 分别判断图P1.19所示各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态。

图P1.19

解：（a）可能 （b）可能 （c）不能

（d）不能，T的发射结会因电流过大而损坏。 （e）可能

1.20 已知某结型场效应管的IDSS＝2mA，UGS（off）＝－4V，试画出它的转移特性曲线和输出特性曲线，并近似画出予夹断轨迹。 解：根据方程

iDIDSS(1uGS2)

UGS(th)逐点求出确定的uGS下的iD，可近似画出转移特性和输出特性；在输出特性中，将各条曲线上uGD＝UGS（off）的点连接起来，便为予夹断线；如解图P1.20所示。

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解图P1.20

1.21 已知放大电路中一只N沟道场效应管三个极①、②、③的电位分别为4V、8V、12V，管子工作在恒流区。试判断它可能是哪种管子（结型管、MOS管、增强型、耗尽型），并说明 ①、②、③与G、S、D的对应关系。 解：管子可能是增强型管、耗尽型管和结型管，三个极①、②、③与G、S、D的对应关系如解图P1.21所示。

解图P1.21

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1.22 已知场效应管的输出特性曲线如图P1.22所示，画出它在恒流区的转移特性曲线。

图P1.22

解：在场效应管的恒流区作横坐标的垂线〔如解图P1.22（a）所示〕，读出其与各条曲线交点的纵坐标值及UGS值，建立iD＝f（uGS）坐标系，描点，连线，即可得到转移特性曲线，如解图P1.22（b）所示。

解图P1.22

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1.23 电路如图1.23所示，T的输出特性如图P1.22所示，分析当uI＝4V、8V、12V三种情况下场效应管分别工作在什么区域。 解：根据图P1.22所示T的输出特性可知，其开启电压为5V，根据图P1.23所示电路可知所以

uGS＝uI。

当uI＝4V时，uGS小于开启电压，故T截止。

当uI＝8V时，设T工作在恒流区，根据 输出特性可知iD≈0.6mA，管压降 uDS≈VDD－iDRd≈10V

因此，uGD＝uGS－uDS≈－2V，小于开启电压， 图P1.23 说明假设成立，即T工作在恒流区。

当uI＝12V时，由于VDD ＝12V，必然使T工作在可变电阻区。

1.24 分别判断图P1.24所示各电路中的场效应管是否有可能工作在恒流区。

图P1.24

解：（a）可能 （b）不能 （c）不能 （d）可能

第二章 基本放大电路

自 测 题

一、在括号内用“”或“×”表明下列说法是否正确。

（1）只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用；（ ）

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（2）可以说任何放大电路都有功率放大作用；（ ）

（3）放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的；（ ） （4）电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的；（ ） （5）放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作；（ ） （6）由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化；（ ）

（7）只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。（ ） 解：（1）× （2）√ （3）× （4）× （5）√ （6）× （7）×

二、试分析图T2.2所示各电路是否能够放大正弦交流信号，简述理由。设图中所有电容对交流信号均可视为短路。

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图T2.2

解：（a）不能。因为输入信号被VBB短路。 （b）可能。

（c）不能。因为输入信号作用于基极与地之间，不能驮载在静态电压之上，必然失真。

（d）不能。晶体管将因发射结电压过大而损坏。 （e）不能。因为输入信号被C2短路。

（f）不能。因为输出信号被VCC短路，恒为零。 （g）可能。

（h）不合理。因为G-S间电压将大于零。 （i）不能。因为T截止。

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三、在图T2.3所示电路中， 已知VCC＝12V，晶体管的＝100，Rb＝100kΩ。填空：要求先填文字表达式后填得数。

'＝0V时，测得UBEQ＝0.7V，若要 （1）当Ui'基极电流IBQ＝20μA， 则Rb 和RW之和Rb＝

≈ kΩ；而若测得UCEQ＝6V，则Rc＝ ≈ kΩ。

（2）若测得输入电压有效值Ui=5mV时，输出电压有效值Uo＝0.6V， 则电压放大倍数

'＝ ≈ 。 Au若负载电阻RL值与RC相等 ，则带上负载

图T2.3 后输出电压有效值Uo＝ ＝ V。

565 ； (VCCUCEQ) IBQ， 3 。 解：（1）(VCCUBEQ)IBQ ， （2）UoUi －120 ；

RL'Uo 0.3 。

RC＋RL 四、已知图T2.3所示电路中VCC＝12V，RC＝3kΩ，静态管压降UCEQ＝6V；并在输出端加负载电阻RL，其阻值为3kΩ。选择一个合适的答案填入空内。 （1）该电路的最大不失真输出电压有效值Uom≈ ； A.2V

B.3V C.6V

＝1mV时，若在不失真的条件下，减小RW，则输出电压的幅 （2）当Ui值将 ；

A.减小

B.不变

C.增大

＝1mV时，将Rw调到输出电压最大且刚好不失真，若此时增 （3）在Ui大输入电压，则输出电压波形将 ；

A.顶部失真 B.底部失真 C.为正弦波 （4）若发现电路出现饱和失真，则为消除失真，可将 。 A.RW减小

B.Rc减小

C.VCC减小

解：（1）A （2）C （3）B （4）B

五、现有直接耦合基本放大电路如下：

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A.共射电路 D.共源电路

B.共集电路 C.共基电路 E.共漏电路

它们的电路分别如图2.2.1、2.5.1(a)、2.5.4(a)、2.7.2和2.7.9(a)所示；设图中Re选择正确答案填入空内，只需填A、B、……

（1）输入电阻最小的电路是 ，最大的是 ； （2）输出电阻最小的电路是 ； （3）有电压放大作用的电路是 ； （4）有电流放大作用的电路是 ； （5）高频特性最好的电路是 ；

（6）输入电压与输出电压同相的电路是 ；反相的电路是 。

解：（1）C，D E （2）B （3）A C D （4）A B D E （5）C （6）B C E， A D

六、未画完的场效应管放大电路如图T2.6所示，试将合适的场效应管接入电路，使之能够正常放大。要求给出两种方案。

解：根据电路接法，可分别采用耗尽型N沟道和P沟道MOS管，如解图T2.6所示。

图T2.6 解图T2.6

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习 题

2.1按要求填写下表。 电路名称 连接方式（e、c、b） 公共极 输入极 输出极 性能比较（大、中、小）  Au A i R i R o 其它 共射电路 共集电路 共基电路

解：答案如表所示。

连接方式 电路名称 共射电路 共集电路 共基电路 公共端 e c b 输入端 b b e 输出端 c e c 性能比较（大、中、小）  Au大 小 大 A i 大 大 小 R i 小 大 小 R o 大 小 大 其它 频带宽

2.2分别改正图P2.2所示各电路中的错误，使它们有可能放大正弦波信号。要求保留电路原来的共射接法和耦合方式。

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图P2.2

解：（a）将－VCC改为＋VCC 。 （b）在＋VCC 与基极之间加Rb。

（c）将VBB反接，且在输入端串联一个电阻。 （d）在VBB支路加Rb，在－VCC与集电极之间加Rc。

2.3 画出图P2.3所示各电路的直流通路和交流通路。设所有电容对交流信号均可视为短路。

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图P2.3

解：将电容开路、变压器线圈短路即为直流通路，图略。 图P2.3所示各电路的交流通路如解图P2.3所示；

解图P2.3

2.4 电路如图P2.4（a）所示，图（b）是晶体管的输出特性，静态时

UBEQ＝0.7V。利用图解法分别求出RL＝∞和RL＝3kΩ时的静态工作点和最大不

失真输出电压Uom（有效值）。

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图P2.4

解：空载时：IBQ＝20μA，ICQ＝2mA，UCEQ＝6V；最大不失真输出电压峰值约为5.3V，有效值约为3.75V。

带载时：IBQ＝20μA，ICQ＝2mA，UCEQ＝3V；最大不失真输出电压峰值约为2.3V，有效值约为1.63V。 如解图P2.4所示。

解图P2.4

＝20mV； 2.5在图P2.5所示电路中，已知晶体管的＝80，rbe＝1kΩ，Ui静态时UBEQ＝0.7V，UCEQ＝4V，IBQ＝20μA。判断下列结论是否正确，凡对的在括号内打“”，否则打“×”。

图P2.5

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 （1）Au445.71（ ） （ ） （2）200Au0.72010311805400（ ） （4）A802.5200（ ） （3）A uu （5）Ri(200.7 )k1k（ ） （6） Ri()k35k（ ）

200.02 （7）Ri3k（ ） （8）Ri1k（ ） （9）Ro5k（ ） （10）Ro2.5k（ ）

≈20mV ( ) （12）U≈60mV ( ) （11）Uss

解：（1）× （2）× （3）× （4）√ （5）× （6）× （7）× （8）√ （9）√ （10）× （11）× （12）√

2.6 电路如图P2.6所示，已知晶体管＝50，在下列情况下，用直流电压表测晶体管的集电极电位，应分别为多少？设VCC＝12V，晶体管饱和管压降UCES＝0.5V。

（1）正常情况 （2）Rb1短路 （4）Rb2开路 （5）RC短路

（3）Rb1开路

图P2.6

解：设UBE＝0.7V。则 （1）

基极静态电流

IBVCCUBEUBE0.022mARb2Rb1

UCVCCICRc6.4V（2）由于UBE＝0V，T截止，UC＝12V。

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（3）临界饱和基极电流 IBS实际基极电流 IBVCCUCES0.045mA

 RcVCCUBE0.22mA

Rb2由于IB＞IBS，故T饱和，UC＝UCES＝0.5V。 （4）T截止，UC＝12V。

（5）由于集电极直接接直流电源，UC＝VCC＝12V

2.7电路如图P2.7所示，晶体管的＝80，rbb'=100Ω。分别计算RL＝∞和RL

、Ri 和Ro。 ＝3kΩ时的Q点、Au

图P2.7

解2.7 在空载和带负载情况下，电路的静态电流、rbe均相等，它们分别为

IBQVCCUBEQRbUBEQR22μ A

ICQ IBQ1.76mArberbb'(1)26mV1.3kIEQ 空载时，静态管压降、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻分别为

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UCEQVCCICQRc6.2V Au Rcrbe308 RR∥rr1.3k ibbebeAusrbe93AuRsrbeRoRc5k RL＝5kΩ时，静态管压降、电压放大倍数分别为

UCEQ AuAus

RLICQ(Rc∥RL)2.3VRcRL' RLrbe115

rbe47AuRsrbe

RiRb∥rberbe1.3kRoRc5k2.8 在图P2.7所示电路中，由于电路参数不同，在信号源电压为正弦波

时，测得输出波形如图P2.8（a）、（b）、（c）所示，试说明电路分别产生了什么失真，如何消除。

图P2.8

解：（a）饱和失真，增大Rb，减小Rc 。 （b）截止失真，减小Rb 。

（c）同时出现饱和失真和截止失真，应增大VCC。

2.9 若由PNP型管组成的共射电路中，输出电压波形如图P2.8（a）、（b）、（c）所示，则分别产生了什么失真？

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解：（a）截止失真；（b）饱和失真；（c）同时出现饱和失真和截止失真。

2.10 已知图P2.10所示电路中晶体管的 ＝100，rbe=1kΩ。 （1）现已测得静态管压降UCEQ＝6V，估算Rb约为多少千欧；

的有效值分别为1mV和100mV，则负载电阻RL为和U （2）若测得Uoi多少千欧？

图P2.10

解：（1）求解Rb

ICQ IBQVCCUCEQRcICQ2mA

20μA565kRb（2）求解RL：

VCCUBEQIBQ .

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'Uo100  RL AARL1kuuUirbe'111 RL1.5kRcRL

2.11 在图P2.10所示电路中，设静态时ICQ＝2mA，晶体管饱和管压降

UCES＝0.6V。试问：当负载电阻RL＝∞和RL＝3kΩ时电路的最大不失真输出电

压各为多少伏？

解：由于ICQ＝2mA，所以UCEQ＝VCC－ICQRc＝6V。

空载时，输入信号增大到一定幅值，电路首先出现饱和失真。故 UomUCEQUCES2'ICQRL3.82V

RL3k时，当输入信号增大到一定幅值，电路首先出现截止失真。故

Uom

2.12在图P2.10所示电路中，设某一参数变化时其余参数不变，在表中填入①增大②减小或③基本不变。

参数变化 22.12V

IBQ UCEQ  Au Ri Ro Rb增大 Rc增大 RL增大

解：答案如解表P2.12所示。

解表P2.12所示

参数变化 .

IBQ UCEQ  AuRi Ro .

Rb增大 Rc增大 RL增大

② ③ ③ ① ② ③ ② ① ① ① ③ ③ ③ ① ③ 2.13 电路如图P2.13所示，晶体管的＝100，rbb'=100Ω。

、Ri和Ro； （1）求电路的Q点、Au （2）若电容Ce开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？

图P2.13

解：（1）静态分析：

UBQRb1VCC2V Rb1Rb2RfReIEQ1mA IEQIBQUCEQUBQUBEQ

10μ A 1VCCIEQ(RcRfRe)5.7V 动态分析：

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rberbb'(1)26mV2.73kIEQ(Rc∥RL) Au7.7rbe(1)RfRiRb1∥Rb2∥[rbe(1)Rf]3.7kRoRc5k

'RL减小，A （2）Ri增大，Ri≈4.1kΩ；A≈－1.92。 uuRfRe

、Ri和Ro 的表达式。 2.14 试求出图P2.3（a）所示电路Q点、Au解：Q点为

IBQ ICQVCCUBEQR1R2(1)Rc

 IBQ UCEQVCC(1)IBQRc、Ri和Ro的表达式分别为 AuR2∥R3 , Rr∥R , RR∥R Auibe1o23rbe

、Ri和Ro的表达式。设静 2.15 试求出图P2.3（b）所示电路Q点、Au态时R2中的电流远大于T的基极电流。 解: Q点：

IBQ(R2VCCUBEQ)[R2∥R3＋(1＋)R1]R2R3

ICQ IBQ UCEQVCCICQRcUBEQ、Ri和Ro的表达式分别为 Au R4 Aurbe RiR1∥rbe 1RoR4 .

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、Ri和Ro的表达式。设静 2.16 试求出图P2.3（c）所示电路Q点、Au态时R2中的电流远大于T2管的基极电流且R3中的电流远大于T1管的基极电流。

解：两只晶体管的静态电流、管压降分析如下：

IBQ1VCCUBEQ1R1R2UBEQ1R3 ICQ2 ICQ1 IBQ1

UCQ2VCC ICQ2R4UBQ2R2(VCCUBEQ1)UBEQ1R1R2

UCEQ1UBQ2－UBEQ2UCEQ2UCQ2－UBQ2UBEQ2、Ri和Ro的表达式分析如下： AuAu11rbe212rbe12R4 Au2rbe2AA Auu1u2RoR4

RiR2∥R3∥rbe1 .

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2.17 设图P2.17所示电路所加输入电压为正弦波。试问：

图P2.17

=U=U/U/U≈? A≈? （1）Au1o1u2o2ii（2）画出输入电压和输出电压ui、uo1、uo2 的波形； 解：（1）因为通常β＞＞1，所以电压放大倍数分别应为

 RcR－c1 rbe(1)ReRe

(1)ReA1 u2rbe(1)ReAu1（2） 两个电压放大倍数说明 uo1≈－ui，uo2≈ui。波形如解图P1.17所示。

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解图P1.17

2.18 电路如图P2.18所示，晶体管的＝80，rbe=1kΩ。 （1）求出Q点；

和Ri； （2）分别求出RL＝∞和RL＝3kΩ时电路的Au （3）求出Ro。

图P2.18

解：（1）求解Q点：

IBQVCCUBEQRb(1)Re32.3μA

IEQ(1)IBQ2.61mAUCEQVCCIEQRe7.17V （2）求解输入电阻和电压放大倍数： RL＝∞时

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RiRb∥[rbe(1)Re]110k

Au(1)Re0.996rbe(1)Re

RL＝3kΩ时

RiRb∥[rbe(1)(Re∥RL)]76k

 Au(1)(Re∥RL)0.992rbe(1)(Re∥RL)

（3）求解输出电阻： RoRe∥

2.19 电路如图P2.19所示，晶体管的＝60，rbb'=100Ω。

Rs∥Rbrbe37

1、Ri和Ro； （1）求解Q点、Au （2）设Us＝10mV（有效值），问Ui＝？Uo＝？若C3开路，则Ui＝？Uo＝？

图P2.19

解：（1）Q点：

IBQ ICQVCCUBEQRb(1)Re31μ A

 IBQ1.86mA UCEQVCCIEQ(RcRe)4.56V、Ri和Ro的分析： Au .

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rberbb'(1)

26mV952IEQ

RiRb∥rbe952 Au(Rc∥RL)rbe95 RoRc3k （2）设Us＝10mV（有效值），则

RiUs3.2mVRsRi U304mV UoAui Ui 若C3开路，则

RiRb∥[rbe(1)Re]51.3kRc∥RL1.5AuReRiUiUs9.6mVRsRiU14.4mVUoAui

2.20

改正图P2.20所示各电路中的错误，使它们有可能放大正弦波电压。

要求保留电路的共漏接法。

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图P2.20

解：（a）源极加电阻RS。 （b）漏极加电阻RD。 （c）输入端加耦合电容。

（d）在Rg支路加－VGG，＋VDD改为－VDD 改正电路如解图P2.20所示。

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解图P2.20

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2.21

已知图P2.21(a)所示电路中场效应管的转移特性和输出特性分别如

图（b）(c)所示。

（1）利用图解法求解Q点；

、Ri和Ro 。 （2）利用等效电路法求解Au 图P2.21

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解：（1）在转移特性中作直线uGS＝－iDRS，与转移特性的交点即为Q点；读出坐标值，得出IDQ＝1mA，UGSQ＝－2V。如解图P2.21（a）所示。

解图P2.21

在输出特性中作直流负载线uDS＝VDD－iD（RD＋RS），与UGSQ＝－2V的那条输出特性曲线的交点为Q点，UDSQ≈3V。如解图P2.21（b）所示。 （2）首先画出交流等效电路（图略），然后进行动态分析。 gmiDuGSUDS2UGS(off)IDSSIDQ1mA/V

gR5 AumD RiRg1M

RoRD5k

2.22 已知图P2.22（a）所示电路中场效应管的转移特性如图（b）所示。

。 求解电路的Q点和Au

图P2.22

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解：（1）求Q点：

根据电路图可知， UGSQ＝VGG＝3V。 从转移特性查得，当UGSQ＝3V时的漏极电流 IDQ＝1mA

因此管压降 UDSQ＝VDD－IDQRD＝5V。 （2）求电压放大倍数：

gm2UGS(th)IDQIDO2mAV

gR20AumD

、2.23电路如图P.23所示，已知场效应管的低频跨导为gm，试写出AuRi和Ro的表达式。

、Ri和Ro的表达式分别为 解：Aug(R∥R)AumDL RiR3R1∥R2

RoRD

图P2.23

2.24 图P2.24中的哪些接法可以构成复合管？标出它们等效管的类型（如NPN型、PNP型、N沟道结型……）及管脚（b、e、c、d、g、s）。

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图P2.24

解：（a）不能。 （b）不能。

（c）构成NPN型管，上端为集电极，中端为基极，下端为发射极。 （d）不能。 （e）不能。

（f）PNP型管，上端为发射极，中端为基极，下端为集电极。 （g）构成NPN型管，上端为集电极，中端为基极，下端为

发射极。

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