专利名称：硅片及其制造方法，以及硅单晶的培育方法专利类型：发明专利
发明人：宝来正隆,杉村涉,小野敏昭申请号：CN200580028656.3申请日：20050824公开号：CN101006206A公开日：20070725
摘要：该硅片是在含氢的惰性气氛下通过CZ法培育的，是在晶片厚度方向整个区域上、结晶直径方向的整个区域上不含COP和位错簇的完全无生长引入的缺陷的晶片，且晶片整个区域由晶格间硅优势区域构成。该硅单晶培育方法通过在含氢的惰性气氛中提拉硅单晶，扩大PI区域提拉速度的范围，通过在这种PI区域提拉速度范围内进行提拉，使单晶柱体部分成为晶格间硅优势区域。
申请人：株式会社上睦可
地址：日本东京都
国籍：JP
代理机构：中国专利代理(香港)有限公司
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