（12）发明专利申请
（21）申请号 CN201010584771.1 （22）申请日 2010.12.13 （71）申请人 浙江大学
地址 310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号
（10）申请公布号 CN102142359A
（43）申请公布日 2011.08.03
（72）发明人 余学功;肖承全;杨德仁
（74）专利代理机构 杭州天勤知识产权代理有限公司
代理人 胡红娟
（51）Int.CI
H01L21/02; H01L21/322;
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
一种硅片外吸杂方法
（57）摘要
本发明公开了一种硅片外吸杂方法，包括
以下步骤：将铟源涂布在硅片表面，在氧气气氛下，将硅片放入常规热处理炉或快速热处理炉中保温一段时间，冷却至室温，在氢氟酸中浸泡以去除表面玻璃层；其中，所述的保温温度为700℃-1000℃，在所述的常规热处理炉保温的时间为30-120分钟，在所述的快速热处理炉保温的
时间为1-10分钟。本发明方法操作简单、成本低廉，且吸杂效果非常好。
法律状态
法律状态公告日
2011-08-03 2011-09-28 2012-05-30
法律状态信息
公开
实质审查的生效 授权
法律状态
公开
实质审查的生效 授权
权利要求说明书
一种硅片外吸杂方法的权利要求说明书内容是....请下载后查看
说明书
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