专利名称：栅极结构、半导体器件以及形成半导体器件的方法专利类型：发明专利
发明人：蔡俊雄,游国丰,詹前泰,方子韦,陈科维,杨怀德申请号：CN201610903298.6申请日：20161017公开号：CN107017290A公开日：20170804
摘要：本发明的实施例提供了一种栅极结构、一种半导体器件以及形成半导体器件的方法。在各个实施例中，栅极结构包括栅极堆叠件和位于栅极堆叠件的侧壁上面的掺杂的间隔件。栅极堆叠件包含掺杂的功函数金属(WFM)堆叠件和位于掺杂的WFM堆叠件上面的金属栅电极。
申请人：台湾积体电路制造股份有限公司
地址：中国台湾新竹
国籍：TW
代理机构：北京德恒律治知识产权代理有限公司
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