专利名称：双极晶体管及其制造方法专利类型：发明专利
发明人：J·贝克,T·梅斯特,R·施滕格尔,H·谢菲尔申请号：CN200480010707.5申请日：20040319公开号：CN1777995A公开日：20060524
摘要：本发明涉及一种高频双极晶体管(1)，包括至少一个与发射极连接区(3)邻接的发射极接触(2)、与基极连接区(5)邻接的基极接触(4)、与集电极连接区(7)邻接的集电极接触(6)。埋层(7)作为集电极连接区域提供，用于连接集电极接触(6)和集电极区(14)。本发明也涉及制造一个这种(15)高频双极晶体管(1)的方法。本发明的特征在于在埋层(7)上提供硅化物区域(8)，所述硅化物区域以低电阻的方式将集电极接触(6)连接到集电极区(14)。
申请人：因芬尼昂技术股份公司
地址：德国慕尼黑
国籍：DE
代理机构：中国专利代理(香港)有限公司
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