专利名称：高纯砷的生产方法专利类型：发明专利发明人：张世才,杨华民申请号：CN200610039541.0申请日：20060413公开号：CN101054168A公开日：20071017
摘要：高纯砷的生产方法。涉及一种半导体基础材料超高纯α型砷的生产方法。本发明采用了以下几个步骤：首先是将砷和铅按1∶1.5～4的比例形成铅砷合金；然后，通过将铅砷合金在真空环境中通过加热进行分离，制得纯度为99.999％砷和铅砷合金；再将上述砷在氢气氛中升华制得纯度为99.99999％的砷。本发明综合了铅熔池法和氯化精馏还原法的优点，并克服了它们的缺点。提出先形成砷铅合金，再从砷铅合金中把砷升华分离出来，分离出的砷在氢气氛中升华得到纯度为7N砷；与本发明的生产方法配套的专用合成坩埚、真空罐、锥形筒、氢气氛石英升华管，成本低，投资少，其性能保证了本发明在产业化生产中投资小、产能高、成本低、质量好。
申请人：张世才,杨华民
地址：677500 云南省临沧市太平街20号
国籍：CN
代理机构：北京连和连知识产权代理有限公司
代理人：李海燕
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