专利名称：低温多晶硅薄膜制备方法、薄膜晶体管及其制备方
法
专利类型：发明专利发明人：田雪雁,龙春平申请号：CN201210479947.6申请日：20121122公开号：CN102945789A公开日：20130227
摘要：本发明公开了一种低温多晶硅薄膜的制备方法，提供一基板，将其置于基台上，在基板上形成缓冲层；在缓冲层上形成非晶硅层，对非晶硅层进行高温处理和激光退火，使非晶硅层形成为多晶硅层；在基板上形成缓冲层之前，在基板下表面或基台上表面形成有保温隔热层。本发明通过增加耐高温保温隔热层，来抑制从融熔硅层向基板、再向基台的快速散热过程。在激光退火过程中，通过增加耐高温保温隔热层，减小了基板的热导率，从而降低基板向基台的散热过程，达到降低融熔硅层与基板界面处的温度梯度，以减少融熔硅层向基板的热流，延长多晶硅的晶化时间，提高多晶硅薄膜的晶粒尺寸；本发明所采用的方法，在生产过程中容易操作，工艺过程简洁并且不耗费原料。
申请人：京东方科技集团股份有限公司
地址：100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号
国籍：CN
代理机构：北京路浩知识产权代理有限公司
代理人：王莹
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