您的当前位置:首页一种晶体硅太阳能电池的扩散工艺[发明专利]

一种晶体硅太阳能电池的扩散工艺[发明专利]

来源:小侦探旅游网
专利内容由知识产权出版社提供

专利名称:一种晶体硅太阳能电池的扩散工艺专利类型:发明专利发明人:励小伟,梁海,赖儒丹申请号:CN201810706918.6申请日:20180702公开号:CN109103081A公开日:20181228

摘要:本发明公开了一种晶体硅太阳能电池的扩散工艺,包括以下步骤:S1.扩散炉预热并通氮气;S2.进舟,保持扩散炉的温度在750~780℃,同时通氮气;S3.通氧气、氮气,氧气与硅片表面的硅反应生成一层二氧化硅层;S4.第一次沉积三氯氧磷;S5.第二次沉积三氯氧磷,磷源浓度较步骤S4提高;S6.升温扩散推进;S7.高温下,第三次沉积三氯氧磷;S8.高温推进结深;S9.降温退火;S10.退舟。本发明沉积磷时,先低浓度后高浓度升温,采用递增渐变式进行扩散,有利于提高电池片的电性能,减小扩散极差。

申请人:浙江启鑫新能源科技股份有限公司

地址:315613 浙江省宁波市象山县经济开发区滨海工业园

国籍:CN

代理机构:广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙)

更多信息请下载全文后查看

因篇幅问题不能全部显示,请点此查看更多更全内容